一种多层膜结构衬底上的压电单晶薄膜及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010603087.7

申请日：

2020-06-29

公开(公告)号：

CN111834518A

公开(公告)日：

2020-10-27

发明(设计)人：

欧欣李忠旭黄凯赵晓蒙李文琴鄢有泉陈阳

申请人：

申请人地址：

200050 上海市长宁区长宁路865号

IPC主分类号：

H01L4108

IPC分类号：

H01L41312 H01L21683

代理机构：

广州三环专利商标代理有限公司 44202

代理人：

郝传鑫;贾允

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-11-13	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 41/08 申请日:20200629
2020-10-27	公开	公开
2022-03-08	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 41/08 登记生效日:20220223 变更事项:专利权人变更前权利人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所变更后权利人:上海新硅聚合半导体有限公司变更事项:地址变更前权利人:200050 上海市长宁区长宁路865号变更后权利人:201800 上海市嘉定区汇源路55号8幢3层J
2021-08-27	授权	授权

共 50 条

[1]

一种压电薄膜结构的制备方法 [P].

刘敬伟 ;

张彦乐 ;

李春龙 ;

周良 ;

李超 ;

张新群 .

中国专利 :CN119894348A ,2025-04-25

[2]

多层薄膜结构的形成方法及多层薄膜结构 [P].

李众 ;

张锋 ;

吴孝哲 ;

吴龙江 ;

林宗贤 .

中国专利 :CN109559976A ,2019-04-02

[3]

一种柔性单晶压电薄膜结构的制备方法 [P].

彭斌 ;

于江浩 ;

张万里 ;

彭定康 ;

王芝昊 .

中国专利 :CN118524766A ,2024-08-20

[4]

一种单晶单畴压电薄膜及其制备方法 [P].

李真宇 ;

胡文 ;

张秀全 ;

罗具廷 ;

杨超 .

中国专利 :CN110581212A ,2019-12-17

[5]

基于硅上压电薄膜结构的体声波谐振器及制备方法 [P].

高安明 ;

姜伟 ;

刘伟 .

中国专利 :CN112350679A ,2021-02-09

[6]

基于硅上压电薄膜结构的体声波谐振器及制备方法 [P].

高安明 ;

姜伟 ;

刘伟 .

中国专利 :CN112350679B ,2025-09-09

[7]

一种六方氮化硼绝缘体上硅衬底结构的制备方法 [P].

陈敏腾 ;

杨秀静 .

中国专利 :CN121240530A ,2025-12-30

[8]

一种绝缘体上硅衬底及其制备方法、应用 [P].

亨利·H·阿达姆松 ;

王桂磊 ;

戚璇 ;

王云 ;

叶甜春 .

中国专利 :CN113471289A ,2021-10-01

[9]

一种绝缘体上硅衬底及其制备方法、应用 [P].

亨利·H·阿达姆松 ;

王桂磊 ;

戚璇 ;

王云 ;

叶甜春 .

中国专利 :CN113471289B ,2024-07-16

[10]

绝缘体上硅衬底上单晶AlN薄膜及其制备方法 [P].

母志强 ;

姜文铮 ;

朱宇波 ;

陈玲丽 ;

俞文杰 ;

李卫民 .

中国专利 :CN116949564B ,2025-06-27

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