原子层沉积装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310683377.7

申请日：

2013-12-12

公开(公告)号：

CN103866293A

公开(公告)日：

2014-06-18

发明(设计)人：

全蓥卓崔鹤永

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

C23C16455

IPC分类号：

代理机构：

北京鸿元知识产权代理有限公司 11327

代理人：

姜虎;陈英俊

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-06-23	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101754112335 IPC(主分类):C23C 16/455 专利申请号:2013106833777 申请公布日:20140618
2014-06-18	公开	公开
2014-07-16	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101583760718 IPC(主分类):C23C 16/455 专利申请号:2013106833777 申请日:20131212

共 50 条

[1]

原子层沉积装置 [P].

全蓥卓 ;

崔鹤永 .

中国专利 :CN103866287A ,2014-06-18

[2]

原子层沉积装置 [P].

申雄澈 ;

崔圭政 ;

杨澈勋 .

韩国专利 :CN120344713A ,2025-07-18

[3]

原子层沉积装置 [P].

全蓥卓 ;

崔鹤永 ;

申锡润 ;

朴炷泫 ;

咸基热 .

中国专利 :CN103668110A ,2014-03-26

[4]

原子层沉积装置 [P].

陈明胜 ;

吴志清 ;

郭进忠 .

中国专利 :CN214736076U ,2021-11-16

[5]

原子层沉积装置及原子层沉积方法 [P].

刘良文 ;

闫晓晖 ;

拉海忠 .

中国专利 :CN119800330A ,2025-04-11

[6]

原子层沉积方法及原子层沉积装置 [P].

叶长福 ;

魏鼎 ;

吕佐文 .

中国专利 :CN117265508B ,2025-09-26

[7]

原子层沉积装置及原子层沉积方法 [P].

李名言 ;

吴孝哲 ;

蔡文立 .

中国专利 :CN101333648A ,2008-12-31

[8]

原子层沉积装置及原子层沉积方法 [P].

郭世根 ;

项金娟 ;

刘青 .

中国专利 :CN114351116B ,2024-12-31

[9]

原子层沉积装置及原子层沉积方法 [P].

郭世根 ;

项金娟 ;

刘青 .

中国专利 :CN114351116A ,2022-04-15

[10]

原子层沉积装置及原子层沉积系统 [P].

曹生贤 .

中国专利 :CN106030848B ,2016-10-12

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