半导体功率模块

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN200720130964.3

申请日：

2007-12-14

公开(公告)号：

CN201146183Y

公开(公告)日：

2008-11-05

发明(设计)人：

王晓宝赵善麒刘利峰

申请人：

申请人地址：

213022江苏省常州市华山中路18号

IPC主分类号：

H01L2336

IPC分类号：

H01L23367 H01L23373 H01L2312 H01L2313 H01L2314 H01L23488

代理机构：

常州市维益专利事务所

代理人：

贾海芬

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-11-05	授权	授权
2018-02-02	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 23/36 申请日:20071214 授权公告日:20081105 终止日期:20161214

共 50 条

[1]

半导体功率模块及其散热方法 [P].

王晓宝 ;

赵善麒 ;

刘利峰 .

中国专利 :CN101179055A ,2008-05-14

[2]

轻型功率半导体模块 [P].

王晓宝 ;

姚玉双 ;

姚天保 .

中国专利 :CN201741690U ,2011-02-09

[3]

功率半导体模块 [P].

张航宇 .

中国专利 :CN222953078U ,2025-06-06

[4]

功率半导体模块及功率半导体模块组 [P].

朱楠 ;

徐贺 ;

史经奎 ;

邓永辉 ;

梅营 .

中国专利 :CN217544596U ,2022-10-04

[5]

功率半导体模块 [P].

D.特吕塞尔 ;

S.哈特曼 ;

F.菲舍尔 ;

H.拜尔 .

中国专利 :CN110915313A ,2020-03-24

[6]

功率半导体模块 [P].

黄斌斌 .

中国专利 :CN214313188U ,2021-09-28

[7]

半导体模块和功率模块 [P].

高升 ;

王双翼 ;

张伟 ;

李高显 .

中国专利 :CN222301628U ,2025-01-03

[8]

功率半导体模块衬底 [P].

杨贺雅 ;

罗浩泽 ;

梅烨 .

中国专利 :CN107958905A ,2018-04-24

[9]

功率半导体模块衬底 [P].

杨贺雅 ;

罗浩泽 ;

梅烨 .

中国专利 :CN107958905B ,2024-06-21

[10]

一种功率半导体模块 [P].

陈超 ;

张海泉 ;

麻长胜 ;

王晓宝 ;

赵善麒 .

中国专利 :CN214043625U ,2021-08-24

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