等离子体处理装置及等离子体刻蚀方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410822473.X

申请日：

2014-12-22

公开(公告)号：

CN105789008B

公开(公告)日：

2016-07-20

发明(设计)人：

黄允文许颂临石刚

申请人：

申请人地址：

201201 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号

IPC主分类号：

H01J3732

IPC分类号：

H05H146 H01L213065 H01L2102

代理机构：

上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275

代理人：

吴世华;林彦之

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-08-17	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101674708222 IPC(主分类):H01J 37/32 专利申请号:201410822473X 申请日:20141222
2017-12-19	授权	授权
2019-04-05	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01J 37/32 变更事项:专利权人变更前:中微半导体设备（上海）有限公司变更后:中微半导体设备（上海）股份有限公司变更事项:地址变更前:201201 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号变更后:201201 上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号
2016-07-20	公开	公开

共 50 条

[1]

电感耦合等离子体处理装置及等离子体刻蚀方法 [P].

连增迪 ;

吴狄 ;

黄允文 ;

倪图强 .

中国专利 :CN105632861B ,2016-06-01

[2]

等离子体刻蚀装置及等离子体刻蚀方法 [P].

刘东升 ;

吕煜坤 ;

朱骏 ;

张旭升 .

中国专利 :CN105161395A ,2015-12-16

[3]

等离子体刻蚀装置及其等离子体刻蚀方法 [P].

周亚勇 ;

罗林 ;

刘家桦 .

中国专利 :CN109256316A ,2019-01-22

[4]

等离子体刻蚀装置和等离子体刻蚀方法 [P].

黄啟伟 ;

柳波 ;

高君 ;

张家赫 ;

刘彦伟 .

中国专利 :CN121096838A ,2025-12-09

[5]

等离子体刻蚀方法及等离子体刻蚀后处理方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN108493104A ,2018-09-04

[6]

等离子体刻蚀处理装置 [P].

张冬平 ;

杨佐东 .

中国专利 :CN203013674U ,2013-06-19

[7]

等离子体系统、等离子体处理方法以及等离子体刻蚀方法 [P].

吴世真 ;

禹济宪 ;

赵忠镐 ;

成德镛 ;

梁章奎 ;

郑在哲 .

中国专利 :CN106920734A ,2017-07-04

[8]

等离子体刻蚀方法 [P].

高山星一 ;

倪图强 .

中国专利 :CN101465287B ,2009-06-24

[9]

等离子体刻蚀装置 [P].

赵博超 ;

施洋 ;

郑江楠 .

中国专利 :CN110729161A ,2020-01-24

[10]

等离子体处理装置及等离子体处理方法 [P].

置田尚吾 ;

水野文二 ;

奥村智洋 .

中国专利 :CN105390360A ,2016-03-09

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