等离子体系统、等离子体处理方法以及等离子体刻蚀方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201611204971.3

申请日：

2016-12-23

公开(公告)号：

CN106920734A

公开(公告)日：

2017-07-04

发明(设计)人：

吴世真禹济宪赵忠镐成德镛梁章奎郑在哲

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01J3732

IPC分类号：

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

张婧

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-07-16	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01J 37/32 申请公布日:20170704
2017-07-04	公开	公开
2018-11-23	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01J 37/32 申请日:20161223

共 50 条

[1]

等离子体处理装置及等离子体刻蚀方法 [P].

黄允文 ;

许颂临 ;

石刚 .

中国专利 :CN105789008B ,2016-07-20

[2]

等离子体刻蚀装置及等离子体刻蚀方法 [P].

刘东升 ;

吕煜坤 ;

朱骏 ;

张旭升 .

中国专利 :CN105161395A ,2015-12-16

[3]

等离子体刻蚀装置及其等离子体刻蚀方法 [P].

周亚勇 ;

罗林 ;

刘家桦 .

中国专利 :CN109256316A ,2019-01-22

[4]

等离子体刻蚀装置和等离子体刻蚀方法 [P].

黄啟伟 ;

柳波 ;

高君 ;

张家赫 ;

刘彦伟 .

中国专利 :CN121096838A ,2025-12-09

[5]

等离子体刻蚀方法 [P].

高山星一 ;

倪图强 .

中国专利 :CN101465287B ,2009-06-24

[6]

等离子体刻蚀方法及等离子体刻蚀后处理方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN108493104A ,2018-09-04

[7]

等离子体刻蚀方法 [P].

李俊良 ;

杨俊 .

中国专利 :CN104681406A ,2015-06-03

[8]

等离子体刻蚀方法 [P].

王兆祥 ;

梁洁 ;

杨平 ;

李晶 .

中国专利 :CN103898613A ,2014-07-02

[9]

等离子体刻蚀方法 [P].

王兆祥 ;

孙超 .

中国专利 :CN104347389A ,2015-02-11

[10]

等离子体刻蚀方法 [P].

王兆祥 .

中国专利 :CN102208333A ,2011-10-05

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