SONOS器件的工艺方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201511026575.1

申请日：

2015-12-31

公开(公告)号：

CN105679712A

公开(公告)日：

2016-06-15

发明(设计)人：

胡君钱文生石晶段文婷

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L218247

IPC分类号：

H01L27115 H01L21265

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

丁纪铁

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-07-12	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/8247 申请公布日:20160615
2016-06-15	公开	公开
2016-07-13	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101669706798 IPC(主分类):H01L 21/8247 专利申请号:2015110265751 申请日:20151231

共 50 条

[1]

SONOS器件的工艺方法 [P].

熊伟 ;

张可钢 ;

陈华伦 ;

钱文生 .

中国专利 :CN104332443A ,2015-02-04

[2]

CMOS工艺中集成SONOS器件和LDMOS器件的方法 [P].

陈广龙 ;

谭颖 .

中国专利 :CN103632942A ,2014-03-12

[3]

SONOS器件以及SONOS器件制造方法 [P].

丁航晨 ;

张强 ;

黄冠群 .

中国专利 :CN106449766A ,2017-02-22

[4]

SONOS器件的制造方法 [P].

熊伟 ;

张可钢 ;

陈华伦 ;

钱文生 .

中国专利 :CN105047670B ,2015-11-11

[5]

SONOS器件制作工艺方法 [P].

许昭昭 .

中国专利 :CN109166856B ,2019-01-08

[6]

二比特分栅SONOS器件制造工艺方法 [P].

许昭昭 .

中国专利 :CN109166855A ,2019-01-08

[7]

1.5T SONOS闪存器件及工艺方法 [P].

张可钢 .

中国专利 :CN110504273A ,2019-11-26

[8]

SONOS器件的栅极结构的制造方法及SONOS器件 [P].

姜兰 .

中国专利 :CN119208145A ,2024-12-27

[9]

SONOS器件结构及形成该器件的方法 [P].

张强 ;

黄冠群 ;

丁航晨 .

中国专利 :CN106298963A ,2017-01-04

[10]

SONOS器件的制造方法 [P].

单园园 ;

郭振强 ;

陈瑜 ;

胡君 .

中国专利 :CN109950249A ,2019-06-28

← 1 2 3 4 5 →