半导体结构、其制造方法及半导体制造装置

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201611114132.2
申请日
2016-12-07
公开(公告)号
CN106992146B
公开(公告)日
2017-07-28
发明(设计)人
林翔伟
申请人
申请人地址
中国台湾新竹
IPC主分类号
H01L21768
IPC分类号
H01L23532 H01L2167
代理机构
北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409
代理人
章社杲;李伟
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体制造装置、半导体制造工厂及半导体制造方法 [P]. 
南出由生 ;
和田直之 .
日本专利 :CN120418927A ,2025-08-01
[2]
半导体制造装置及半导体制造方法 [P]. 
申平洙 ;
金秉勳 .
中国专利 :CN103137468B ,2013-06-05
[3]
半导体制造方法及半导体制造装置 [P]. 
川崎辉尚 ;
青柳克信 ;
黒濑范子 .
中国专利 :CN112640046A ,2021-04-09
[4]
半导体制造装置及半导体制造方法 [P]. 
岩田亨 .
日本专利 :CN120048751A ,2025-05-27
[5]
半导体制造装置及半导体制造方法 [P]. 
申平洙 ;
金秉勳 .
中国专利 :CN103137415A ,2013-06-05
[6]
半导体制造装置及半导体制造方法 [P]. 
广濑治 .
中国专利 :CN104900562A ,2015-09-09
[7]
半导体制造装置及半导体制造方法 [P]. 
丹羽恵一 .
中国专利 :CN110310902A ,2019-10-08
[8]
半导体制造装置及半导体制造方法 [P]. 
田中博司 .
中国专利 :CN111092028A ,2020-05-01
[9]
半导体制造装置及半导体制造方法 [P]. 
岩田亨 .
日本专利 :CN117766427A ,2024-03-26
[10]
半导体制造装置及半导体制造方法 [P]. 
清水和宏 ;
秋山肇 ;
保田直纪 .
中国专利 :CN1921071B ,2007-02-28