极性交替AlN模板的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110716091.9

申请日：

2021-06-25

公开(公告)号：

CN113539791B

公开(公告)日：

2024-02-27

发明(设计)人：

郭亚楠蔡听松刘志彬闫建昌王军喜

申请人：

中国科学院半导体研究所

申请人地址：

100083 北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

H01L21/02

IPC分类号：

H01L21/324 C23C14/06 C23C14/58 C23C16/30 C23C16/56

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

周天宇

法律状态：

授权

国省代码：

北京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-02-27	授权	授权

共 50 条

[1]

极性交替AlN模板的制备方法 [P].

郭亚楠 ;

蔡听松 ;

刘志彬 ;

闫建昌 ;

王军喜 .

中国专利 :CN113539791A ,2021-10-22

[2]

一种在N‑极性GaN模板上生长极性交替的GaN结构的方法 [P].

刘三姐 ;

郑新和 ;

彭铭曾 ;

侯彩霞 ;

王瑾 ;

何荧峰 ;

李美玲 .

中国专利 :CN106783551A ,2017-05-31

[3]

一种在Ga‑极性GaN模板上生长极性交替的GaN结构的方法 [P].

刘三姐 ;

郑新和 ;

彭铭曾 ;

侯彩霞 ;

王瑾 ;

何荧峰 ;

李美玲 .

中国专利 :CN106847668A ,2017-06-13

[4]

极性可控的高质量AlN模板制备方法 [P].

刘志彬 ;

郭亚楠 ;

闫建昌 ;

李晋闽 ;

王军喜 .

中国专利 :CN111676451A ,2020-09-18

[5]

极性交替供电的电磁吸盘装置 [P].

李惕新 ;

汪华平 .

中国专利 :CN202278489U ,2012-06-20

[6]

一种N极性AlN/GaN外延结构及其制备方法 [P].

林凡 ;

倪健 ;

许翔 ;

张高俊 ;

周均铭 .

中国专利 :CN119653801A ,2025-03-18

[7]

一种多电极分时导通变极性交替电弧焊接和增材的方法 [P].

闫朝阳 ;

胡青松 ;

陈树君 ;

郭凯伟 .

中国专利 :CN114247962A ,2022-03-29

[8]

具有双极性AlN模板层的深紫外发光二极管的外延片 [P].

丁涛 ;

龚程成 ;

尹涌 ;

梅劲 .

中国专利 :CN113594320B ,2021-11-02

[9]

一种AlN薄膜的制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN112795871A ,2021-05-14

[10]

一种AlN薄膜的制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN113235047B ,2021-08-10

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