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半导体结构及其形成方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201911213609.6
申请日：
2019-12-02
公开(公告)号：
CN112992784B
公开(公告)日：
2024-01-12
发明(设计)人：
宛伟
申请人：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址：
230001 安徽省合肥市蜀山区经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
IPC主分类号：
H01L21/8234
IPC分类号：
H10B12/00
代理机构：
上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294
代理人：
孙佳胤
法律状态：
授权
国省代码：
安徽省
宣城市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-01-12 | 授权 | 授权 |