在微电子件中的铜的电沉积

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311133432.5

申请日：

2017-09-21

公开(公告)号：

CN117385426A

公开(公告)日：

2024-01-12

发明(设计)人：

文森·潘尼卡西欧凯力·惠登里查·贺图比兹约翰·康曼德艾瑞克·罗亚

申请人：

麦克德米德乐思公司

申请人地址：

美国康涅狄格州

IPC主分类号：

C25D3/38

IPC分类号：

C25D7/12

代理机构：

北京三幸商标专利事务所(普通合伙) 11216

代理人：

刘卓然

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-01-30	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C25D 3/38申请日:20170921
2024-01-12	公开	公开

共 50 条

[41]

一种利用吸附与电沉积组合工艺回收含铜废液中铜的方法 [P].

陈亦力 ;

李锁定 ;

李天玉 ;

莫恒亮 ;

张国军 .

中国专利 :CN106757150A ,2017-05-31

[42]

嵌入在MOS器件中的锗阻挡件 [P].

郭紫微 ;

李昆穆 ;

宋学昌 ;

李启弘 ;

李资良 .

中国专利 :CN104377199B ,2015-02-25

[43]

一种电子级乙烯在半导体沉积工艺中的应用方法及电子级乙烯的精制方法 [P].

陈润泽 ;

花莹曦 ;

孙加其 ;

吝秀锋 ;

张建伟 ;

吕随强 ;

张露露 ;

张周 .

中国专利 :CN115592988A ,2023-01-13

[44]

半导体设备制造中在金属电沉积期间的晶种层的保护 [P].

朱焕丰 ;

乔纳森·大卫·里德 ;

周俭 ;

塔里克·马吉德 .

中国专利 :CN114051542A ,2022-02-15

[45]

在半导体晶片上超均匀沉积铜膜的方法 [P].

马悦 ;

王希 ;

何川 ;

王晖 .

中国专利 :CN101748459B ,2010-06-23

[46]

用于电解沉积铜沉积物的酸性水性组合物 [P].

R·施密特 ;

J·加伊达 ;

W·罗兰 ;

J·帕尔姆 ;

H·杰哈 .

中国专利 :CN115427613A ,2022-12-02

[47]

一种用于电解沉积铜的电积池 [P].

时鹏辉 ;

刘广奇 ;

李登新 .

中国专利 :CN202465894U ,2012-10-03

[48]

封装微电子成象仪和封装微电子成象仪的方法 [P].

S·阿克拉姆 ;

C·M·沃特金斯 ;

K·K·柯比 ;

A·G·伍德 ;

W·M·希亚特 .

中国专利 :CN1977382A ,2007-06-06

[49]

用于电沉积铜的工艺,在穿硅通孔(TSV)中的芯片间、芯片到晶片间和晶片间的互连 [P].

罗伯特·F·普赖塞尔 .

中国专利 :CN102318041A ,2012-01-11

[50]

用于在处理室中处理微电子衬底的磁悬浮且旋转的卡盘 [P].

威廉·P·尹霍费尔 ;

肖恩·穆尔 ;

伦斯·凡埃尔森 .

美国专利 :CN109923659B ,2024-03-12

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