在微电子件中的铜的电沉积

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202311133432.5
申请日
2017-09-21
公开(公告)号
CN117385426A
公开(公告)日
2024-01-12
发明(设计)人
文森·潘尼卡西欧 凯力·惠登 里查·贺图比兹 约翰·康曼德 艾瑞克·罗亚
申请人
麦克德米德乐思公司
申请人地址
美国康涅狄格州
IPC主分类号
C25D3/38
IPC分类号
C25D7/12
代理机构
北京三幸商标专利事务所(普通合伙) 11216
代理人
刘卓然
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[21]
微电子电路中的互连部的钴填充 [P]. 
J·科曼得 ;
小V·潘恩卡修 ;
E·路亚 ;
K·惠顿 ;
孙绍鹏 .
中国专利 :CN107849722A ,2018-03-27
[22]
微电子电路中的互连部的钴填充 [P]. 
J·科曼得 ;
小V·潘恩卡修 ;
E·路亚 ;
K·惠顿 ;
孙绍鹏 ;
韩剑文 .
中国专利 :CN113215626A ,2021-08-06
[23]
用于铜的电解沉积的水性酸浴 [P]. 
N·丹布罗斯基 ;
U·豪夫 ;
I·埃韦特 ;
C·丹布劳斯基 ;
R·文策尔 .
中国专利 :CN103547711B ,2014-01-29
[24]
微电子封装的嵌入式铜结构 [P]. 
杨程 ;
D·尚关 ;
姚力 .
中国专利 :CN211792251U ,2020-10-27
[25]
电沉积铜、包括其的电部件和电池 [P]. 
李先珩 ;
赵泰真 ;
朴瑟气 ;
宋基德 .
中国专利 :CN105705329B ,2016-06-22
[26]
由铜电解沉积制造铜箔的方法 [P]. 
S·兰普雷希特 ;
K-J·马泰加特 ;
A·厄兹柯克 .
德国专利 :CN120603992A ,2025-09-05
[27]
一种用于电解沉积铜的电积池 [P]. 
刘希华 ;
孙召军 .
中国专利 :CN218147001U ,2022-12-27
[28]
用于增加微电子封装中电触点表面面积的结构 [P]. 
罗珮聪 ;
杨丹 ;
史训清 .
中国专利 :CN102646655A ,2012-08-22
[29]
在铜晶种沉积后的植入方法 [P]. 
S·洛帕京 ;
P·R·贝瑟 ;
M·S·比伊诺斯基 .
中国专利 :CN100447978C ,2005-03-09
[30]
改善铜互连工艺中铜丘的方法 [P]. 
詹曜宇 ;
彭翔 ;
姬峰 .
中国专利 :CN112201616A ,2021-01-08