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在微电子件中的铜的电沉积
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202311133432.5
申请日
:
2017-09-21
公开(公告)号
:
CN117385426A
公开(公告)日
:
2024-01-12
发明(设计)人
:
文森·潘尼卡西欧
凯力·惠登
里查·贺图比兹
约翰·康曼德
艾瑞克·罗亚
申请人
:
麦克德米德乐思公司
申请人地址
:
美国康涅狄格州
IPC主分类号
:
C25D3/38
IPC分类号
:
C25D7/12
代理机构
:
北京三幸商标专利事务所(普通合伙) 11216
代理人
:
刘卓然
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-01-30
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):C25D 3/38申请日:20170921
2024-01-12
公开
公开
共 50 条
[21]
微电子电路中的互连部的钴填充
[P].
J·科曼得
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J·科曼得
;
小V·潘恩卡修
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小V·潘恩卡修
;
E·路亚
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E·路亚
;
K·惠顿
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K·惠顿
;
孙绍鹏
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孙绍鹏
.
中国专利
:CN107849722A
,2018-03-27
[22]
微电子电路中的互连部的钴填充
[P].
J·科曼得
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J·科曼得
;
小V·潘恩卡修
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小V·潘恩卡修
;
E·路亚
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E·路亚
;
K·惠顿
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K·惠顿
;
孙绍鹏
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孙绍鹏
;
韩剑文
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韩剑文
.
中国专利
:CN113215626A
,2021-08-06
[23]
用于铜的电解沉积的水性酸浴
[P].
N·丹布罗斯基
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N·丹布罗斯基
;
U·豪夫
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U·豪夫
;
I·埃韦特
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I·埃韦特
;
C·丹布劳斯基
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C·丹布劳斯基
;
R·文策尔
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R·文策尔
.
中国专利
:CN103547711B
,2014-01-29
[24]
微电子封装的嵌入式铜结构
[P].
杨程
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杨程
;
D·尚关
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D·尚关
;
姚力
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姚力
.
中国专利
:CN211792251U
,2020-10-27
[25]
电沉积铜、包括其的电部件和电池
[P].
李先珩
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李先珩
;
赵泰真
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赵泰真
;
朴瑟气
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朴瑟气
;
宋基德
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宋基德
.
中国专利
:CN105705329B
,2016-06-22
[26]
由铜电解沉积制造铜箔的方法
[P].
S·兰普雷希特
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机构:
德国艾托特克有限两合公司
德国艾托特克有限两合公司
S·兰普雷希特
;
K-J·马泰加特
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机构:
德国艾托特克有限两合公司
德国艾托特克有限两合公司
K-J·马泰加特
;
A·厄兹柯克
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机构:
德国艾托特克有限两合公司
德国艾托特克有限两合公司
A·厄兹柯克
.
德国专利
:CN120603992A
,2025-09-05
[27]
一种用于电解沉积铜的电积池
[P].
刘希华
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刘希华
;
孙召军
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孙召军
.
中国专利
:CN218147001U
,2022-12-27
[28]
用于增加微电子封装中电触点表面面积的结构
[P].
罗珮聪
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罗珮聪
;
杨丹
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杨丹
;
史训清
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史训清
.
中国专利
:CN102646655A
,2012-08-22
[29]
在铜晶种沉积后的植入方法
[P].
S·洛帕京
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S·洛帕京
;
P·R·贝瑟
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P·R·贝瑟
;
M·S·比伊诺斯基
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M·S·比伊诺斯基
.
中国专利
:CN100447978C
,2005-03-09
[30]
改善铜互连工艺中铜丘的方法
[P].
詹曜宇
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詹曜宇
;
彭翔
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彭翔
;
姬峰
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姬峰
.
中国专利
:CN112201616A
,2021-01-08
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