一种具有多功率支路的双面散热碳化硅功率模块

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202311676914.5
申请日
2023-12-07
公开(公告)号
CN117672997A
公开(公告)日
2024-03-08
发明(设计)人
江希 贾道勇 王颖 袁嵩 弓小武
申请人
西安电子科技大学
申请人地址
710071 陕西省西安市太白南路2号
IPC主分类号
H01L23/367
IPC分类号
H01L23/498 H01L25/07
代理机构
西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230
代理人
勾慧敏
法律状态
公开
国省代码
陕西省 西安市
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共 50 条
[1]
碳化硅功率模块和碳化硅功率模块的制造方法 [P]. 
于亮 ;
赵慧超 ;
暴杰 .
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一种多芯片堆叠式双面散热碳化硅功率模块 [P]. 
李淳桢 ;
郭新华 ;
林添良 ;
李浩铭 .
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易散热的碳化硅功率模块 [P]. 
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王民 ;
雷光寅 ;
曹巍 ;
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碳化硅功率模块 [P]. 
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碳化硅功率模块 [P]. 
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碳化硅功率模块 [P]. 
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一种碳化硅功率模块 [P]. 
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一种双面散热的碳化硅功率模块封装结构 [P]. 
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碳化硅功率模块的封装方法及碳化硅功率模块 [P]. 
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[10]
碳化硅功率模块的封装方法及碳化硅功率模块 [P]. 
丁荣军 ;
罗海辉 ;
雷云 ;
李继鲁 ;
吴煜东 ;
刘国友 ;
彭勇殿 ;
张明 ;
温家良 ;
金锐 .
中国专利 :CN102130021B ,2011-07-20