半导体装置的制造方法及电力控制电路的制造方法

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专利类型
发明
申请号
CN202110528910.7
申请日
2021-05-14
公开(公告)号
CN113690151B
公开(公告)日
2024-03-29
发明(设计)人
中田洋辅
申请人
三菱电机株式会社
申请人地址
日本东京
IPC主分类号
H01L21/66
IPC分类号
H01L21/60 H01L25/18
代理机构
北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112
代理人
何立波;张天舒
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体装置的制造方法及电力控制电路的制造方法 [P]. 
中田洋辅 .
中国专利 :CN113690151A ,2021-11-23
[2]
电力控制电路、半导体装置和半导体装置的电力控制方法 [P]. 
金雄来 ;
李炳喆 ;
李世远 .
中国专利 :CN111399621A ,2020-07-10
[3]
电力控制电路和包括该电力控制电路的半导体装置 [P]. 
金雄来 ;
尹相植 .
中国专利 :CN111243634A ,2020-06-05
[4]
半导体装置及半导体装置的制造方法 [P]. 
坂本健 ;
鹿野武敏 ;
佐佐木太志 .
中国专利 :CN104137252B ,2014-11-05
[5]
半导体装置的制造方法及电力转换装置的制造方法 [P]. 
石川悟 .
中国专利 :CN113643992A ,2021-11-12
[6]
半导体装置的制造方法及电力转换装置的制造方法 [P]. 
石川悟 .
日本专利 :CN113643992B ,2024-09-20
[7]
半导体装置的制造装置及半导体装置的制造方法 [P]. 
三浦正幸 .
中国专利 :CN106158700A ,2016-11-23
[8]
半导体装置的制造方法及半导体装置的制造装置 [P]. 
高仓英也 .
中国专利 :CN101017788A ,2007-08-15
[9]
电力半导体装置及电力半导体装置的制造方法 [P]. 
三田泰之 ;
森贞达志 ;
后藤正喜 .
日本专利 :CN119604980A ,2025-03-11
[10]
半导体装置、半导体装置的制造方法、电力变换装置 [P]. 
古川智康 ;
三好智之 .
日本专利 :CN117461145A ,2024-01-26