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一种硅片边缘剥离方法及硅片
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202010392779.1
申请日
:
2020-05-11
公开(公告)号
:
CN111540676B
公开(公告)日
:
2024-02-23
发明(设计)人
:
衡鹏
徐鹏
文英熙
申请人
:
西安奕斯伟材料科技股份有限公司
西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请人地址
:
710000 陕西省西安市高新区西沣南路1888号1-3-029室
IPC主分类号
:
H01L21/306
IPC分类号
:
H01L21/02
代理机构
:
北京银龙知识产权代理有限公司 11243
代理人
:
许静;胡影
法律状态
:
授权
国省代码
:
江苏省 常州市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-02-23
授权
授权
共 50 条
[1]
一种硅片边缘剥离方法及硅片
[P].
衡鹏
论文数:
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衡鹏
;
徐鹏
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徐鹏
;
文英熙
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文英熙
.
中国专利
:CN111540676A
,2020-08-14
[2]
硅片剥离装置及硅片剥离方法
[P].
张晨膑
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机构:
上海超硅半导体股份有限公司
上海超硅半导体股份有限公司
张晨膑
;
叶斐
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机构:
上海超硅半导体股份有限公司
上海超硅半导体股份有限公司
叶斐
;
张志清
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机构:
上海超硅半导体股份有限公司
上海超硅半导体股份有限公司
张志清
;
陈猛
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机构:
上海超硅半导体股份有限公司
上海超硅半导体股份有限公司
陈猛
.
中国专利
:CN121054539A
,2025-12-02
[3]
一种硅片边缘高效剥离设备及方法
[P].
孙新利
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机构:
浙江中晶新材料研究有限公司
浙江中晶新材料研究有限公司
孙新利
;
马俊
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机构:
浙江中晶新材料研究有限公司
浙江中晶新材料研究有限公司
马俊
;
尹春
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机构:
浙江中晶新材料研究有限公司
浙江中晶新材料研究有限公司
尹春
;
施伟杰
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机构:
浙江中晶新材料研究有限公司
浙江中晶新材料研究有限公司
施伟杰
.
中国专利
:CN119601511B
,2025-04-15
[4]
一种硅片边缘高效剥离设备及方法
[P].
孙新利
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机构:
浙江中晶新材料研究有限公司
浙江中晶新材料研究有限公司
孙新利
;
马俊
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机构:
浙江中晶新材料研究有限公司
浙江中晶新材料研究有限公司
马俊
;
尹春
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机构:
浙江中晶新材料研究有限公司
浙江中晶新材料研究有限公司
尹春
;
施伟杰
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机构:
浙江中晶新材料研究有限公司
浙江中晶新材料研究有限公司
施伟杰
.
中国专利
:CN119601511A
,2025-03-11
[5]
一种硅片边缘剥离机
[P].
马胜南
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马胜南
.
中国专利
:CN216354070U
,2022-04-19
[6]
硅片边缘研磨装置及硅片边缘研磨方法
[P].
靳凌翔
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机构:
西安奕斯伟材料科技股份有限公司
西安奕斯伟材料科技股份有限公司
靳凌翔
;
陈曦鹏
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西安奕斯伟材料科技股份有限公司
西安奕斯伟材料科技股份有限公司
陈曦鹏
;
孙介楠
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机构:
西安奕斯伟材料科技股份有限公司
西安奕斯伟材料科技股份有限公司
孙介楠
.
中国专利
:CN117464487A
,2024-01-30
[7]
硅片边缘刻蚀装置和硅片边缘刻蚀方法
[P].
贾帅
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机构:
西安奕斯伟材料科技股份有限公司
西安奕斯伟材料科技股份有限公司
贾帅
;
王力
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机构:
西安奕斯伟材料科技股份有限公司
西安奕斯伟材料科技股份有限公司
王力
.
中国专利
:CN121149050A
,2025-12-16
[8]
硅片边缘刻蚀设备和硅片边缘刻蚀方法
[P].
陈曦鹏
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机构:
西安奕斯伟材料科技股份有限公司
西安奕斯伟材料科技股份有限公司
陈曦鹏
;
孙介楠
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机构:
西安奕斯伟材料科技股份有限公司
西安奕斯伟材料科技股份有限公司
孙介楠
;
郭宏雁
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机构:
西安奕斯伟材料科技股份有限公司
西安奕斯伟材料科技股份有限公司
郭宏雁
.
中国专利
:CN119650468B
,2025-10-31
[9]
硅片边缘刻蚀设备和硅片边缘刻蚀方法
[P].
陈曦鹏
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机构:
西安奕斯伟材料科技股份有限公司
西安奕斯伟材料科技股份有限公司
陈曦鹏
;
孙介楠
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机构:
西安奕斯伟材料科技股份有限公司
西安奕斯伟材料科技股份有限公司
孙介楠
;
郭宏雁
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机构:
西安奕斯伟材料科技股份有限公司
西安奕斯伟材料科技股份有限公司
郭宏雁
.
中国专利
:CN119650468A
,2025-03-18
[10]
一种避免硅片边缘薄膜剥离的方法
[P].
徐强
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徐强
;
张高升
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张高升
;
严萍
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严萍
;
李广济
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李广济
.
中国专利
:CN104867826A
,2015-08-26
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