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硅片反射率测量方法及其测量装置

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201910791330.X
申请日：
2019-08-26
公开(公告)号：
CN110514627B
公开(公告)日：
2024-06-07
发明(设计)人：
陈全胜 唐旱波 刘尧平 王燕 杜小龙
申请人：
松山湖材料实验室 中国科学院物理研究所
申请人地址：
523000 广东省东莞市松山湖大学创新城A1栋
IPC主分类号：
G01N21/55
IPC分类号：
代理机构：
深圳市千纳专利代理有限公司 44218
代理人：
陈培琼
法律状态：
授权
国省代码：
北京市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2024-06-07 授权 授权
2025-09-23 专利申请权、专利权的转移 专利权的转移IPC(主分类):G01N 21/55登记生效日:20250908变更事项:专利权人变更前权利人:松山湖材料实验室变更后权利人:松山湖材料实验室变更事项:国家或地区变更前权利人:中国变更后权利人:中国变更事项:地址变更前权利人:523000 广东省东莞市松山湖大学创新城A1栋变更后权利人:523000 广东省东莞市大朗镇屏东路333号变更事项:专利权人变更前权利人:中国科学院物理研究所变更后权利人:松山湖（东莞）材料科技发展有限公司变更事项:国家或地区变更前权利人:中国变更后权利人:中国
2025-11-21 专利申请权、专利权的转移 专利权的转移IPC(主分类):G01N 21/55登记生效日:20251105变更事项:专利权人变更前权利人:松山湖材料实验室变更后权利人:广东中科普瑞科技有限公司变更事项:国家或地区变更前权利人:中国变更后权利人:中国变更事项:地址变更前权利人:523000 广东省东莞市大朗镇屏东路333号变更后权利人:523000 广东省东莞市松山湖园区学府路1号12栋317室变更事项:专利权人变更前权利人:松山湖（东莞）材料科技发展有限公司变更事项:国家或地区变更前权利人:中国
共 50 条
[1]
硅片反射率测量方法及其测量装置 [P]. 
陈全胜 ;
唐旱波 ;
刘尧平 ;
王燕 ;
杜小龙 .
中国专利 :CN110514627A ,2019-11-29
[2]
硅片反射率测量装置 [P]. 
陈全胜 ;
唐旱波 ;
刘尧平 ;
王燕 ;
杜小龙 .
中国专利 :CN211179528U ,2020-08-04
[3]
反射率测量装置 [P]. 
张立功 ;
李颜涛 ;
骆永石 .
中国专利 :CN112986190A ,2021-06-18
[4]
光学元件高反射率测量系统和测量方法 [P]. 
邵建达 ;
刘世杰 ;
王圣浩 .
中国专利 :CN109100330A ,2018-12-28
[5]
反射镜反射率的测量方法 [P]. 
许洪刚 ;
马洪涛 ;
韩冰 ;
金辉 .
中国专利 :CN112834462A ,2021-05-25
[6]
一种反射率综合测量方法 [P]. 
李斌成 ;
曲哲超 ;
韩艳玲 .
中国专利 :CN102169050B ,2011-08-31
[7]
一种反射率测量装置及测量方法 [P]. 
徐天熠 .
中国专利 :CN120908144A ,2025-11-07
[8]
海底底质反射率测量装置及测量方法 [P]. 
许占堂 ;
赵俊 ;
杨跃忠 ;
李彩 ;
周雯 ;
曾凯 ;
曹文熙 .
中国专利 :CN108458993A ,2018-08-28
[9]
一种反射率测量调试装置、方法及反射率测量方法 [P]. 
姜博宇 .
中国专利 :CN109612968B ,2024-07-26
[10]
一种反射率测量调试装置、方法及反射率测量方法 [P]. 
姜博宇 .
中国专利 :CN109612968A ,2019-04-12
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