一种二维二硫化钼枝晶的大面积可控制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202211404233.9

申请日：

2022-11-10

公开(公告)号：

CN115650297B

公开(公告)日：

2024-01-26

发明(设计)人：

张秀梅杨国锋霍新霞钱维莹韦春雷

申请人：

江南大学

申请人地址：

214122 江苏省无锡市滨湖区蠡湖大道1800号

IPC主分类号：

C01G39/06

IPC分类号：

代理机构：

哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司 23211

代理人：

黄婵娟

法律状态：

授权

国省代码：

江苏省无锡市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-01-26	授权	授权

共 50 条

[1]

一种二维二硫化钼枝晶的大面积可控制备方法 [P].

张秀梅 ;

杨国锋 ;

霍新霞 ;

钱维莹 ;

韦春雷 .

中国专利 :CN115650297A ,2023-01-31

[2]

一种大面积二硫化钼薄膜的制备方法 [P].

廖霞霞 ;

周子皓 ;

杨子凡 ;

周杨波 .

中国专利 :CN112853290B ,2021-05-28

[3]

氨水辅助制备大面积单层二硫化钼的方法 [P].

刘明岩 ;

万逸 ;

阚二军 ;

赵益彬 ;

姚佳敏 ;

杨昀纬 .

中国专利 :CN112593205B ,2021-04-02

[4]

一种大面积二硫化钼薄膜及其制备方法 [P].

陈雪霞 ;

冯朝帅 ;

魏淑畅 ;

崔鹤展 ;

韩海圆 ;

张寒露 .

中国专利 :CN120905644A ,2025-11-07

[5]

一种大面积二硫化钼薄膜材料的制备方法 [P].

冯奕钰 ;

陈传蒙 ;

封伟 .

中国专利 :CN105271800A ,2016-01-27

[6]

一种二维二硫化钼材料的制备方法和应用 [P].

张跃 ;

姜鹤 ;

张铮 ;

张先坤 ;

陈匡磊 ;

何晓宇 ;

刘一禾 ;

李瑞山 ;

耿宇 ;

陈超 .

中国专利 :CN118390158B ,2025-03-04

[7]

一种二维二硫化钼材料的制备方法和应用 [P].

张跃 ;

姜鹤 ;

张铮 ;

张先坤 ;

陈匡磊 ;

何晓宇 ;

刘一禾 ;

李瑞山 ;

耿宇 ;

陈超 .

中国专利 :CN118390158A ,2024-07-26

[8]

一种二维二硫化钼薄膜的制备方法 [P].

杨培志 ;

马春阳 ;

杨雯 ;

莫镜辉 ;

李赛 ;

杨德威 .

中国专利 :CN110344000A ,2019-10-18

[9]

一种大面积二硫化钼薄膜的原子层沉积制备方法 [P].

杨培志 ;

赵恒利 ;

杨雯 ;

杨启鸣 ;

张志恒 .

中国专利 :CN107937884B ,2018-04-20

[10]

一种大面积硒掺杂二硫化钼薄膜材料的制备方法 [P].

封伟 ;

岳玉琛 ;

冯奕钰 .

中国专利 :CN105624643A ,2016-06-01

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