一种等离子体刻蚀防腐蚀喷头

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202322073809.4

申请日：

2023-08-03

公开(公告)号：

CN221108695U

公开(公告)日：

2024-06-11

发明(设计)人：

全宰弘陈欣鑫

申请人：

亚新半导体科技（无锡）有限公司

申请人地址：

214142 江苏省无锡市新吴区长江南路35号生命科技园内311号厂房

IPC主分类号：

B05B15/14

IPC分类号：

C23F1/08 H01J37/32 B05B15/60

代理机构：

北京箐昱专利代理事务所(普通合伙) 16105

代理人：

李晓玲

法律状态：

授权

国省代码：

江苏省无锡市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-06-11	授权	授权

共 50 条

[1]

等离子体刻蚀装置 [P].

苏财钰 ;

伍凯义 ;

杨然翔 ;

喻兵 ;

伍修颀 .

中国专利 :CN215933530U ,2022-03-01

[2]

等离子体刻蚀装置 [P].

丁佳 ;

吴长明 ;

冯大贵 ;

欧少敏 ;

冯玉岩 .

中国专利 :CN214672495U ,2021-11-09

[3]

等离子体刻蚀设备 [P].

王晶 ;

李谦 .

中国专利 :CN202633210U ,2012-12-26

[4]

等离子体刻蚀机台 [P].

张海洋 ;

张城龙 .

中国专利 :CN203895414U ,2014-10-22

[5]

等离子体刻蚀装置 [P].

刘涛 ;

乐卫平 ;

宋成 ;

张文杰 ;

谢幸光 ;

王霞 ;

吴凤波 .

中国专利 :CN221827830U ,2024-10-11

[6]

等离子体刻蚀机 [P].

刘波 ;

单书珊 ;

乔彦彬 ;

李建强 ;

陈燕宁 ;

张海峰 .

中国专利 :CN208444807U ,2019-01-29

[7]

等离子体刻蚀装置及等离子体刻蚀方法 [P].

刘东升 ;

吕煜坤 ;

朱骏 ;

张旭升 .

中国专利 :CN105161395A ,2015-12-16

[8]

等离子体刻蚀设备 [P].

赵馗 ;

王奕善 ;

倪图强 .

中国专利 :CN214152845U ,2021-09-07

[9]

等离子体刻蚀装置及其等离子体刻蚀方法 [P].

周亚勇 ;

罗林 ;

刘家桦 .

中国专利 :CN109256316A ,2019-01-22

[10]

等离子体刻蚀装置和等离子体刻蚀方法 [P].

黄啟伟 ;

柳波 ;

高君 ;

张家赫 ;

刘彦伟 .

中国专利 :CN121096838A ,2025-12-09

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