图案化方法及半导体结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202211422448.3

申请日：

2022-11-14

公开(公告)号：

CN118076094A

公开(公告)日：

2024-05-24

发明(设计)人：

张诗清邓放心魏莹璐李群萧聪

申请人：

长鑫存储技术有限公司

申请人地址：

230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号

IPC主分类号：

H10B12/00

IPC分类号：

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

安徽省宣城市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-06-11	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10B 12/00申请日:20221114
2024-05-24	公开	公开

共 50 条

[1]

图案化方法及半导体结构 [P].

曹新满 ;

刘忠明 ;

张家云 .

中国专利 :CN113628957A ,2021-11-09

[2]

半导体结构的图案化方法及半导体结构 [P].

王素丽 .

中国专利 :CN119381257A ,2025-01-28

[3]

图案化半导体结构的方法 [P].

张凯 .

中国专利 :CN120527228A ,2025-08-22

[4]

图案化的方法与半导体结构 [P].

杨金成 .

中国专利 :CN105489476A ,2016-04-13

[5]

图案化方法、半导体结构及存储器 [P].

杨子晋 ;

汪亚 ;

徐文祥 ;

刘藩东 ;

华文宇 .

中国专利 :CN119230397A ,2024-12-31

[6]

一种图案化方法及半导体结构 [P].

宛强 ;

夏军 ;

占康澍 ;

李森 ;

刘涛 ;

徐朋辉 .

中国专利 :CN113097142B ,2021-07-09

[7]

图案化方法、半导体结构及存储器 [P].

杨子晋 ;

汪亚 ;

徐文祥 ;

刘藩东 ;

华文宇 .

中国专利 :CN119230397B ,2025-11-28

[8]

图案化堆叠及制造半导体结构的方法 [P].

林子扬 ;

张庆裕 ;

林进祥 .

中国专利 :CN114911133A ,2022-08-16

[9]

图案化磊晶基板及半导体结构 [P].

许广元 ;

严千智 ;

赖彦霖 .

中国专利 :CN111987199A ,2020-11-24

[10]

图案化方法和半导体结构的制备方法 [P].

黄娟娟 ;

白杰 .

中国专利 :CN114388353A ,2022-04-22

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