图案化半导体结构的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410793304.1

申请日：

2024-06-19

公开(公告)号：

CN120527228A

公开(公告)日：

2025-08-22

发明(设计)人：

张凯

申请人：

南亚科技股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新北市泰山区南林路98号

IPC主分类号：

H01L21/311

IPC分类号：

H01L21/027

代理机构：

北京派特恩知识产权代理有限公司 11270

代理人：

康艳青;张铮铮

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-09-09	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/311申请日:20240619
2025-08-22	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体结构的图案化方法及半导体结构 [P].

王素丽 .

中国专利 :CN119381257A ,2025-01-28

[2]

图案化的方法与半导体结构 [P].

杨金成 .

中国专利 :CN105489476A ,2016-04-13

[3]

图案化方法及半导体结构 [P].

曹新满 ;

刘忠明 ;

张家云 .

中国专利 :CN113628957A ,2021-11-09

[4]

图案化方法及半导体结构 [P].

张诗清 ;

邓放心 ;

魏莹璐 ;

李群 ;

萧聪 .

中国专利 :CN118076094A ,2024-05-24

[5]

图案化方法和半导体结构的制备方法 [P].

黄娟娟 ;

白杰 .

中国专利 :CN114388353A ,2022-04-22

[6]

用于半导体结构图案化的方法 [P].

S·科尔克马兹 ;

D·D·史莱伦 ;

S·巴拉克里希南 ;

D·拉伊 ;

S·萨帕 ;

P·A·帕杜阿诺 .

中国专利 :CN112018116B ,2020-12-01

[7]

图案化堆叠及制造半导体结构的方法 [P].

林子扬 ;

张庆裕 ;

林进祥 .

中国专利 :CN114911133A ,2022-08-16

[8]

半导体结构的制备方法及半导体结构 [P].

张甍 ;

曹学文 ;

李亨 ;

颜天才 ;

杨列勇 .

中国专利 :CN117637595A ,2024-03-01

[9]

半导体结构的制备方法及半导体结构 [P].

尤康 ;

白杰 .

中国专利 :CN112838047A ,2021-05-25

[10]

半导体结构的制备方法及半导体结构 [P].

周成 ;

蒋婷 .

中国专利 :CN117174574B ,2024-02-09

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