改善电极吸光的发光二极管及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311653694.4

申请日：

2023-12-05

公开(公告)号：

CN117936676A

公开(公告)日：

2024-04-26

发明(设计)人：

黄庆张美杭伟王洪占

申请人：

华灿光电（苏州）有限公司

申请人地址：

215600 江苏省苏州市张家港市经济开发区晨丰公路28号

IPC主分类号：

H01L33/44

IPC分类号：

H01L33/46 H01L33/00

代理机构：

北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138

代理人：

吕耀萍

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

河北省衡水市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-05-14	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 33/44申请日:20231205
2024-10-18	著录事项变更	著录事项变更IPC(主分类):H01L 33/44变更事项:申请人变更前:华灿光电（苏州）有限公司变更后:京东方华灿光电（苏州）有限公司变更事项:国家或地区变更前:中国变更后:中国变更事项:地址变更前:215600 江苏省苏州市张家港市经济开发区晨丰公路28号变更后:215600 江苏省苏州市张家港市经济开发区晨丰公路28号
2024-04-26	公开	公开

共 50 条

[1]

改善电极平整性的发光二极管及其制备方法 [P].

王佳 ;

魏柏林 ;

田艳红 .

中国专利 :CN118588829A ,2024-09-03

[2]

改善发光效率的发光二极管及其制备方法 [P].

王明 ;

陆香花 ;

张奕 .

中国专利 :CN119108472B ,2025-10-03

[3]

改善发光效率的发光二极管及其制备方法 [P].

王明 ;

陆香花 ;

张奕 .

中国专利 :CN119108472A ,2024-12-10

[4]

改善发光效果的发光二极管及其制备方法 [P].

韩艺蕃 ;

郝亚磊 ;

魏柏林 ;

石跃航 ;

王绘凝 ;

王江波 .

中国专利 :CN117747729A ,2024-03-22

[5]

改善EOS的发光二极管及其制备方法 [P].

崔伟豪 ;

林振华 ;

陈沛然 ;

刘小亮 ;

魏柏林 ;

王薇 .

中国专利 :CN120835647A ,2025-10-24

[6]

改善断裂的发光二极管及其制备方法 [P].

兰叶 ;

王江波 ;

张威 .

中国专利 :CN115394896A ,2022-11-25

[7]

改善断裂的发光二极管及其制备方法 [P].

兰叶 ;

王江波 ;

张威 .

中国专利 :CN115394896B ,2025-09-05

[8]

改善漏电的发光二极管及其制备方法 [P].

张奕 ;

尹涌 ;

陆香花 ;

徐义兰 ;

朱广敏 .

中国专利 :CN119008800A ,2024-11-22

[9]

发光二极管及其制备方法 [P].

姚振 ;

从颖 ;

张毓 ;

蔡和勋 .

中国专利 :CN120076511B ,2025-12-05

[10]

发光二极管及其制备方法 [P].

肖和平 ;

李威 ;

汪洋 ;

黄彪彪 .

中国专利 :CN117936657A ,2024-04-26

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