碳化硅晶体生长装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311265796.9

申请日：

2023-09-27

公开(公告)号：

CN117089932B

公开(公告)日：

2024-04-16

发明(设计)人：

刘曦徐红立冯春林何海颜波

申请人：

通威微电子有限公司

申请人地址：

610299 四川省成都市双流区成都芯谷产业园区集中区内

IPC主分类号：

C30B29/36

IPC分类号：

C30B23/00 C23C14/06 C23C14/50

代理机构：

北京超凡宏宇知识产权代理有限公司 11463

代理人：

颜欢

法律状态：

授权

国省代码：

四川省成都市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-04-16	授权	授权

共 50 条

[1]

碳化硅晶体生长装置 [P].

柯金煌 ;

蔡文必 ;

袁文博 .

中国专利 :CN114645319A ,2022-06-21

[2]

碳化硅晶体生长用坩埚和碳化硅晶体生长装置 [P].

徐良 ;

曹力力 ;

蓝文安 ;

朱卫祥 ;

阳明益 ;

刘建哲 ;

余雅俊 .

中国专利 :CN210974929U ,2020-07-10

[3]

碳化硅晶体生长用坩埚及碳化硅晶体生长装置 [P].

徐良 ;

蓝文安 ;

刘建哲 ;

余雅俊 ;

李京波 ;

夏建白 ;

陈素春 .

中国专利 :CN215404657U ,2022-01-04

[4]

碳化硅晶体生长装置 [P].

李远田 ;

陈俊宏 ;

吴亚娟 .

中国专利 :CN114574968A ,2022-06-03

[5]

碳化硅晶体生长装置 [P].

秦皓然 ;

张洁 .

中国专利 :CN220812699U ,2024-04-19

[6]

碳化硅晶体生长装置 [P].

李远田 ;

陈俊宏 ;

吴亚娟 .

中国专利 :CN217149391U ,2022-08-09

[7]

碳化硅晶体生长装置 [P].

燕靖 .

中国专利 :CN118704083A ,2024-09-27

[8]

碳化硅晶体生长装置 [P].

李远田 .

中国专利 :CN223481346U ,2025-10-28

[9]

碳化硅晶体生长装置 [P].

燕靖 ;

陈俊宏 .

中国专利 :CN114108094A ,2022-03-01

[10]

碳化硅晶体生长装置 [P].

薛卫明 ;

马远 ;

潘尧波 .

中国专利 :CN217757758U ,2022-11-08

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