基板处理方法、热处理装置以及半导体制造设备

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202311121157.5
申请日
2023-09-01
公开(公告)号
CN118136501A
公开(公告)日
2024-06-04
发明(设计)人
李成龙 吴明焕 朴圣圭
申请人
细美事有限公司
申请人地址
韩国忠清南道
IPC主分类号
H01L21/324
IPC分类号
H01L21/67 H01L21/66 G05D23/20
代理机构
北京钲霖知识产权代理有限公司 11722
代理人
李英艳;玉昌峰
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
基板处理装置及包括基板处理装置的半导体制造设备 [P]. 
徐锺锡 ;
林宣燮 .
韩国专利 :CN118263152A ,2024-06-28
[2]
基板处理方法、基板处理装置、半导体装置的制造方法以及半导体制造装置 [P]. 
上田悠介 ;
吉田幸史 ;
宫本泰治 .
日本专利 :CN120770068A ,2025-10-10
[3]
热处理模组及半导体制造装置 [P]. 
深川尚義 ;
小篠勲 ;
谷口昌之 ;
山崎夏树 .
中国专利 :CN209496822U ,2019-10-15
[4]
热处理设备以及半导体装置制造方法 [P]. 
土井浩志 ;
柴垣真果 ;
流石勇一 .
中国专利 :CN102473641A ,2012-05-23
[5]
加热装置以及半导体制造设备 [P]. 
咸峰 .
中国专利 :CN223189256U ,2025-08-05
[6]
处理室、半导体制造设备及使用其的基板处理方法 [P]. 
李龙炫 ;
李明振 ;
车安基 .
中国专利 :CN102194665B ,2011-09-21
[7]
基板处理装置、基板处理方法及半导体制造方法 [P]. 
伊东哲生 ;
菊本宪幸 ;
井上一树 ;
山田邦夫 .
中国专利 :CN111755354A ,2020-10-09
[8]
基板处理方法、半导体制造方法及基板处理装置 [P]. 
小林健司 ;
佐藤雅伸 ;
中野佑太 .
日本专利 :CN113614887B ,2025-07-01
[9]
基板处理装置、基板处理方法及半导体制造方法 [P]. 
伊东哲生 ;
菊本宪幸 ;
井上一树 ;
山田邦夫 .
日本专利 :CN111755354B ,2025-04-18
[10]
基板处理方法、半导体制造方法及基板处理装置 [P]. 
小林健司 ;
佐藤雅伸 ;
中野佑太 .
中国专利 :CN113614887A ,2021-11-05