半导体结构以及存储器

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202310621354.7
申请日
2023-05-26
公开(公告)号
CN116648051B
公开(公告)日
2024-05-14
发明(设计)人
侯闯明
申请人
长鑫存储技术有限公司
申请人地址
230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
IPC主分类号
H10B10/00
IPC分类号
H01L29/10 G11C11/408
代理机构
代理人
法律状态
专利申请权、专利权的转移
国省代码
安徽省 宣城市
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共 50 条
[1]
半导体结构以及存储器 [P]. 
常小卫 .
中国专利 :CN115620773A ,2023-01-17
[2]
半导体结构以及存储器 [P]. 
王超 .
中国专利 :CN118782117A ,2024-10-15
[3]
半导体结构以及存储器 [P]. 
王超 .
中国专利 :CN118782117B ,2025-10-03
[4]
半导体结构以及存储器 [P]. 
高毅成 ;
车载龙 .
中国专利 :CN117690909A ,2024-03-12
[5]
半导体结构与半导体存储器 [P]. 
李宁 ;
江文涌 .
中国专利 :CN210296376U ,2020-04-10
[6]
存储器器件以及半导体结构 [P]. 
蔡睿哲 ;
林谷峰 ;
黄家恩 ;
王奕 .
中国专利 :CN120264740A ,2025-07-04
[7]
版图结构、半导体结构以及存储器 [P]. 
吕庆 ;
姜伟 .
中国专利 :CN117688889A ,2024-03-12
[8]
半导体结构、版图结构以及存储器 [P]. 
常小卫 .
中国专利 :CN115422880A ,2022-12-02
[9]
半导体结构、存储器结构和半导体器件 [P]. 
王屏薇 ;
张峰铭 ;
陈瑞麟 .
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[10]
半导体结构及存储器 [P]. 
杨正杰 .
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