干法刻蚀聚酰亚胺层的方法、再布线层及其制备方法

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专利类型
发明
申请号
CN202311775026.9
申请日
2023-12-21
公开(公告)号
CN117747542A
公开(公告)日
2024-03-22
发明(设计)人
吕超 种景 董子晗
申请人
北京北方华创微电子装备有限公司
申请人地址
100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道8号
IPC主分类号
H01L21/768
IPC分类号
H01L21/311 H01L23/538
代理机构
北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315
代理人
周永强
法律状态
实质审查的生效
国省代码
安徽省 宣城市
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共 50 条
[1]
一种干法刻蚀聚酰亚胺牺牲层的方法 [P]. 
袁秋雁 ;
杜建林 ;
陈环玉 ;
左元呈 ;
毛敏 .
中国专利 :CN115321471B ,2025-01-17
[2]
一种干法刻蚀聚酰亚胺牺牲层的方法 [P]. 
袁秋雁 ;
杜建林 ;
陈环玉 ;
左元呈 ;
毛敏 .
中国专利 :CN115321471A ,2022-11-11
[3]
一种干法刻蚀聚酰亚胺牺牲层的方法 [P]. 
周龙飞 ;
王大甲 ;
许勇 .
中国专利 :CN108346571A ,2018-07-31
[4]
钝化层干法刻蚀方法 [P]. 
孙武 ;
王新鹏 .
中国专利 :CN102054685B ,2011-05-11
[5]
干法刻蚀微电机系统牺牲层的方法 [P]. 
史晔 ;
雷述宇 .
中国专利 :CN104261345B ,2015-01-07
[6]
干法刻蚀第一金属层的方法 [P]. 
张瑜 ;
黄君 ;
李程 .
中国专利 :CN102403269A ,2012-04-04
[7]
用于干法刻蚀设备的电极及其制备方法、干法刻蚀设备 [P]. 
陈程 ;
吕艳明 .
中国专利 :CN104332380A ,2015-02-04
[8]
聚酰亚胺层的制备方法 [P]. 
王吉伟 ;
高留春 ;
眭利民 ;
牟亮伟 .
中国专利 :CN109979800A ,2019-07-05
[9]
聚酰亚胺层的去除方法 [P]. 
魏旭东 ;
季骏 ;
虞嘉玮 ;
许力恒 .
中国专利 :CN121011501A ,2025-11-25
[10]
一种刻蚀聚酰亚胺牺牲层的方法及应用 [P]. 
黄梅 ;
杜建林 ;
左元呈 ;
李明 ;
文朝军 ;
张欢 .
中国专利 :CN115458392A ,2022-12-09