一种干法刻蚀聚酰亚胺牺牲层的方法

被引：0

申请号：

CN202210969462.9

申请日：

2022-08-12

公开(公告)号：

CN115321471A

公开(公告)日：

2022-11-11

发明(设计)人：

袁秋雁杜建林陈环玉左元呈毛敏

申请人：

申请人地址：

610000 四川省成都市高新区天府三街199号

IPC主分类号：

B81C100

IPC分类号：

代理机构：

北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246

代理人：

刘妮

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-11-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):B81C 1/00 申请日:20220812
2022-11-11	公开	公开

共 50 条

[1]

一种干法刻蚀聚酰亚胺牺牲层的方法 [P].

袁秋雁 ;

杜建林 ;

陈环玉 ;

左元呈 ;

毛敏 .

中国专利 :CN115321471B ,2025-01-17

[2]

一种干法刻蚀聚酰亚胺牺牲层的方法 [P].

周龙飞 ;

王大甲 ;

许勇 .

中国专利 :CN108346571A ,2018-07-31

[3]

干法刻蚀微电机系统牺牲层的方法 [P].

史晔 ;

雷述宇 .

中国专利 :CN104261345B ,2015-01-07

[4]

干法刻蚀聚酰亚胺层的方法、再布线层及其制备方法 [P].

吕超 ;

种景 ;

董子晗 .

中国专利 :CN117747542A ,2024-03-22

[5]

一种刻蚀聚酰亚胺牺牲层的方法及应用 [P].

黄梅 ;

杜建林 ;

左元呈 ;

李明 ;

文朝军 ;

张欢 .

中国专利 :CN115458392A ,2022-12-09

[6]

干法刻蚀第一金属层的方法 [P].

张瑜 ;

黄君 ;

李程 .

中国专利 :CN102403269A ,2012-04-04

[7]

钝化层干法刻蚀方法 [P].

孙武 ;

王新鹏 .

中国专利 :CN102054685B ,2011-05-11

[8]

一种干法刻蚀方法 [P].

黄海 ;

洪齐元 .

中国专利 :CN103871847A ,2014-06-18

[9]

干法刻蚀机台及干法刻蚀方法 [P].

李国强 ;

衣新燕 .

中国专利 :CN117096067B ,2024-03-01

[10]

一种干法刻蚀方法 [P].

汪之涵 ;

和巍巍 ;

温正欣 .

中国专利 :CN118507343A ,2024-08-16

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