一种干法刻蚀聚酰亚胺牺牲层的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210969462.9

申请日：

2022-08-12

公开(公告)号：

CN115321471B

公开(公告)日：

2025-01-17

发明(设计)人：

袁秋雁杜建林陈环玉左元呈毛敏

申请人：

合肥英仕博精密装备有限公司

申请人地址：

230000 安徽省合肥市经济技术开发区卫星路与青龙潭路交叉口新港集成电路科技园B栋1层

IPC主分类号：

B81C1/00

IPC分类号：

代理机构：

深圳天融专利代理事务所(普通合伙) 44628

代理人：

李华杰

法律状态：

授权

国省代码：

安徽省安庆市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-01-17	授权	授权
2025-01-07	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移IPC(主分类):B81C 1/00登记生效日:20241223变更事项:申请人变更前权利人:成都市精鹰光电技术有限责任公司变更后权利人:合肥英仕博精密装备有限公司变更事项:国家或地区变更前权利人:中国变更后权利人:中国变更事项:地址变更前权利人:610000 四川省成都市高新区天府三街199号变更后权利人:230000 安徽省合肥市经济技术开发区卫星路与青龙潭路交叉口新港集成电路科技园B栋1层

共 50 条

[1]

一种干法刻蚀聚酰亚胺牺牲层的方法 [P].

袁秋雁 ;

杜建林 ;

陈环玉 ;

左元呈 ;

毛敏 .

中国专利 :CN115321471A ,2022-11-11

[2]

一种干法刻蚀聚酰亚胺牺牲层的方法 [P].

周龙飞 ;

王大甲 ;

许勇 .

中国专利 :CN108346571A ,2018-07-31

[3]

干法刻蚀微电机系统牺牲层的方法 [P].

史晔 ;

雷述宇 .

中国专利 :CN104261345B ,2015-01-07

[4]

干法刻蚀聚酰亚胺层的方法、再布线层及其制备方法 [P].

吕超 ;

种景 ;

董子晗 .

中国专利 :CN117747542A ,2024-03-22

[5]

一种刻蚀聚酰亚胺牺牲层的方法及应用 [P].

黄梅 ;

杜建林 ;

左元呈 ;

李明 ;

文朝军 ;

张欢 .

中国专利 :CN115458392A ,2022-12-09

[6]

干法刻蚀第一金属层的方法 [P].

张瑜 ;

黄君 ;

李程 .

中国专利 :CN102403269A ,2012-04-04

[7]

钝化层干法刻蚀方法 [P].

孙武 ;

王新鹏 .

中国专利 :CN102054685B ,2011-05-11

[8]

一种干法刻蚀方法 [P].

黄海 ;

洪齐元 .

中国专利 :CN103871847A ,2014-06-18

[9]

干法刻蚀机台及干法刻蚀方法 [P].

李国强 ;

衣新燕 .

中国专利 :CN117096067B ,2024-03-01

[10]

一种干法刻蚀方法 [P].

汪之涵 ;

和巍巍 ;

温正欣 .

中国专利 :CN118507343A ,2024-08-16

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