半导体结构及其测试方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910239270.0

申请日：

2019-03-27

公开(公告)号：

CN109920778B

公开(公告)日：

2024-02-06

发明(设计)人：

周源张小麟李静怡王超张志文朱林迪牛玉玮郭艳华

申请人：

北京燕东微电子科技有限公司

申请人地址：

100176 北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道8号1幢4层4D15

IPC主分类号：

H01L23/544

IPC分类号：

H01L21/66

代理机构：

北京成创同维知识产权代理有限公司 11449

代理人：

蔡纯;张靖琳

法律状态：

授权

国省代码：

安徽省宣城市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-02-06	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体结构及其测试方法 [P].

周源 ;

张小麟 ;

李静怡 ;

王超 ;

张志文 ;

朱林迪 ;

牛玉玮 ;

郭艳华 .

中国专利 :CN109920778A ,2019-06-21

[2]

半导体测试结构及其测试方法 [P].

苏炳熏 ;

叶甜春 ;

罗军 ;

李彬鸿 .

中国专利 :CN118841400A ,2024-10-25

[3]

半导体测试结构及其测试方法 [P].

叶亮 .

中国专利 :CN120048821A ,2025-05-27

[4]

半导体结构的测试方法、半导体测试结构及其制备方法 [P].

连建伟 .

中国专利 :CN115799090B ,2025-05-30

[5]

半导体结构及其测试方法 [P].

吴芳 ;

克里斯托弗·大卫·华生 ;

科里奥·尤里·皮梅诺夫 ;

优瑞·洛文 ;

唐涌波 .

中国专利 :CN117410815A ,2024-01-16

[6]

半导体结构及其测试方法 [P].

朱淑娟 ;

张春雨 ;

渠汇 .

中国专利 :CN118553721A ,2024-08-27

[7]

半导体结构及其测试方法 [P].

韦仕贡 ;

张欣慰 ;

张彦秀 ;

杨京花 .

中国专利 :CN112802768B ,2021-05-14

[8]

半导体结构及其测试方法 [P].

陈翀一 ;

刘淑娟 ;

杨展頔 ;

彭昊阳 .

中国专利 :CN119890188A ,2025-04-25

[9]

半导体结构及其测试方法 [P].

戴志轩 ;

吴旻锺 ;

陈国文 ;

陆湘台 .

中国专利 :CN115083937A ,2022-09-20

[10]

测试结构、测试方法以及半导体结构 [P].

杨素慧 ;

王志强 ;

韩坤 .

中国专利 :CN111584387A ,2020-08-25

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