基于二维材料InSe/GaAs异质结的三维沟槽硅电极探测器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210320603.4

申请日：

2022-03-29

公开(公告)号：

CN114744062B

公开(公告)日：

2024-02-13

发明(设计)人：

刘美萍唐勇刘文富白柳杨

申请人：

黄淮学院

申请人地址：

463100 河南省驻马店市驿城区黄淮学院

IPC主分类号：

H01L31/0328

IPC分类号：

H01L31/0352 H01L31/109

代理机构：

苏州拓云知识产权代理事务所(普通合伙) 32344

代理人：

高泽民

法律状态：

授权

国省代码：

河南省驻马店市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-02-13	授权	授权

共 50 条

[1]

基于二维材料InSe/GaAs异质结的三维沟槽硅电极探测器 [P].

刘美萍 ;

唐勇 ;

刘文富 ;

白柳杨 .

中国专利 :CN114744062A ,2022-07-12

[2]

硅三维沟槽电极探测器 [P].

刘美萍 ;

唐勇 ;

何鑫 ;

潘雪洋 ;

刘文富 .

中国专利 :CN216209942U ,2022-04-05

[3]

硅三维沟槽电极探测器 [P].

唐勇 ;

刘美萍 ;

何鑫 ;

潘雪洋 ;

刘文富 .

中国专利 :CN113885081A ,2022-01-04

[4]

基于二维材料/钙钛矿异质结的光电探测器 [P].

常晶晶 ;

黄相平 ;

林珍华 ;

苏杰 ;

郝跃 .

中国专利 :CN109698279A ,2019-04-30

[5]

非对称电极二维材料/石墨烯异质结级联光电探测器及其制备方法 [P].

杨志广 ;

李志伟 ;

武文 ;

彭鹏 ;

王筠 ;

丁永杰 .

中国专利 :CN105789367A ,2016-07-20

[6]

三维沟槽硅电极探测器及其制备方法 [P].

刘美萍 ;

唐勇 ;

白柳杨 ;

李景富 ;

李福荣 .

中国专利 :CN115663039A ,2023-01-31

[7]

最小死区三维沟槽电极硅探测器 [P].

李正 ;

周滔 .

中国专利 :CN111540795A ,2020-08-14

[8]

嵌套式三维沟槽电极硅探测器 [P].

李正 ;

刘美萍 ;

张亚 ;

王明洋 .

中国专利 :CN110611009B ,2019-12-24

[9]

最小死区三维沟槽电极硅探测器 [P].

李正 ;

周滔 .

中国专利 :CN111540795B ,2024-11-22

[10]

最小死区三维沟槽电极硅探测器 [P].

李正 ;

周滔 .

中国专利 :CN211828781U ,2020-10-30

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