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半导体结构及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202211412310.5
申请日：
2022-11-11
公开(公告)号：
CN118076220A
公开(公告)日：
2024-05-24
发明(设计)人：
陈恩浩 胡志勇 章杏 高雪地 周创 汪珊
申请人：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址：
230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
IPC主分类号：
H10N97/00
IPC分类号：
H10B12/00 H01L21/66
代理机构：
代理人：
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
安徽省 宣城市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2024-06-11 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10N 97/00申请日:20221111
2024-05-24 公开 公开
共 50 条
[1]
半导体结构及其制备方法 [P]. 
章慧 ;
刘小平 ;
徐玉婷 ;
陈小龙 ;
王春阳 .
中国专利 :CN119252815B ,2025-10-03
[2]
半导体结构及其制备方法 [P]. 
章慧 ;
刘小平 ;
徐玉婷 ;
陈小龙 ;
王春阳 .
中国专利 :CN119252815A ,2025-01-03
[3]
半导体结构及其制备方法 [P]. 
李永祥 ;
李杰 ;
邓柱超 .
中国专利 :CN120417376A ,2025-08-01
[4]
半导体结构及其制备方法 [P]. 
黄鑫 ;
李弘祥 ;
王士欣 .
中国专利 :CN112864156A ,2021-05-28
[5]
半导体结构及其制备方法 [P]. 
刘琳 .
中国专利 :CN117334631A ,2024-01-02
[6]
半导体结构及其制备方法 [P]. 
孟雅 ;
徐亚超 .
中国专利 :CN117995883A ,2024-05-07
[7]
半导体结构及其制备方法 [P]. 
尤康 ;
潘唐钰 .
中国专利 :CN117560924A ,2024-02-13
[8]
半导体结构及其制备方法 [P]. 
肖冲 .
中国专利 :CN119730259A ,2025-03-28
[9]
半导体结构及其制备方法 [P]. 
曹新满 ;
吴耆贤 ;
黄炜 .
中国专利 :CN116017976B ,2025-12-05
[10]
半导体结构及其制备方法 [P]. 
宋影 ;
崔兆培 .
中国专利 :CN115763546B ,2025-10-10
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