半导体结构及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411927019.0

申请日：

2024-12-25

公开(公告)号：

CN119730259A

公开(公告)日：

2025-03-28

发明(设计)人：

肖冲

申请人：

湖北江城芯片中试服务有限公司

申请人地址：

430000 湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区光谷一路227号3号楼3号（自贸区武汉片区）

IPC主分类号：

H10D1/66

IPC分类号：

代理机构：

北京派特恩知识产权代理有限公司 11270

代理人：

董亚莉;胡春光

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

河北省石家庄市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-15	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 1/66申请日:20241225
2025-03-28	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体结构及其制备方法 [P].

章慧 ;

刘小平 ;

徐玉婷 ;

陈小龙 ;

王春阳 .

中国专利 :CN119252815B ,2025-10-03

[2]

半导体结构及其制备方法 [P].

宋影 ;

崔兆培 .

中国专利 :CN115763546B ,2025-10-10

[3]

半导体结构及其制备方法 [P].

薛兴坤 ;

李泽伦 ;

刘晓阳 ;

徐汉东 ;

朴仁鎬 ;

李辉 ;

顾婷婷 .

中国专利 :CN118899220A ,2024-11-05

[4]

半导体结构及其制备方法 [P].

陈恩浩 ;

胡志勇 ;

章杏 ;

高雪地 ;

周创 ;

汪珊 .

中国专利 :CN118076220A ,2024-05-24

[5]

半导体结构及其制备方法 [P].

薛兴坤 ;

李泽伦 ;

刘晓阳 ;

徐汉东 ;

朴仁鎬 ;

李辉 ;

顾婷婷 .

中国专利 :CN118899220B ,2025-10-21

[6]

半导体结构及其制备方法 [P].

谈亚丽 ;

李辉辉 ;

袁子豪 ;

唐怡 .

中国专利 :CN119095374A ,2024-12-06

[7]

半导体结构及其制备方法 [P].

李静怡 ;

张若男 ;

冯喆 ;

温芳 ;

龚丽 .

中国专利 :CN118280843A ,2024-07-02

[8]

半导体结构及其制备方法 [P].

黄猛 .

中国专利 :CN119031829A ,2024-11-26

[9]

半导体结构及其制备方法 [P].

谈亚丽 ;

李辉辉 ;

袁子豪 ;

唐怡 .

中国专利 :CN119095374B ,2025-10-03

[10]

半导体结构及其制备方法 [P].

郭崇永 ;

金兴成 .

中国专利 :CN114334972A ,2022-04-12

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