一种碳化硅晶圆研磨液及其制备方法与应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311187427.2

申请日：

2023-09-14

公开(公告)号：

CN117447963A

公开(公告)日：

2024-01-26

发明(设计)人：

郝唯佑翟虎林宏达孙金梅

申请人：

浙江兆晶新材料科技有限公司东旭科技集团有限公司

申请人地址：

323000 浙江省丽水市莲都区南明山街道绿谷大厦309号国际车城15号楼11层-351

IPC主分类号：

C09K3/14

IPC分类号：

H01L21/304

代理机构：

北京英创嘉友知识产权代理事务所(普通合伙) 11447

代理人：

杨月

法律状态：

公开

国省代码：

北京市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-01-26	公开	公开
2024-04-30	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C09K 3/14申请日:20230914

共 50 条

[1]

一种研磨碳化硅晶圆的方法、碳化硅晶圆研磨液及其应用 [P].

郝唯佑 ;

翟虎 ;

林宏达 ;

孙金梅 .

中国专利 :CN117645841A ,2024-03-05

[2]

碳化硅晶圆及其制备方法 [P].

赵路 ;

张俊 ;

李炜 ;

施荣荣 .

中国专利 :CN119050000A ,2024-11-29

[3]

碳化硅晶圆及其制备方法 [P].

赵路 ;

张俊 ;

李炜 ;

施荣荣 .

中国专利 :CN119252764A ,2025-01-03

[4]

碳化硅晶圆及其制备方法 [P].

赵路 ;

张俊 ;

李炜 ;

施荣荣 .

中国专利 :CN120261336A ,2025-07-04

[5]

一种高纯碳化硅、碳化硅晶圆及其制备方法 [P].

刘剑洪 ;

陈超 ;

陈文沛 ;

林文忠 ;

杨明 ;

刘彬 ;

杨鹏刚 ;

扶勇欢 ;

孙学良 ;

欧阳小平 ;

吴奇 .

中国专利 :CN110104651B ,2019-08-09

[6]

一种高纯碳化硅、碳化硅晶圆及其制备方法 [P].

董世昌 .

中国专利 :CN118248528A ,2024-06-25

[7]

碳化硅晶圆和碳化硅晶圆的氧化方法 [P].

林秀岩 ;

曹力力 ;

陈伟 ;

张永熙 ;

袁志巧 .

中国专利 :CN120322001A ,2025-07-15

[8]

一种碳化硅晶圆衬底的制备方法及碳化硅晶圆衬底 [P].

黄兴 .

中国专利 :CN118969603A ,2024-11-15

[9]

一种碳化硅晶圆抛光液及其制备方法 [P].

何波 ;

杨阳 ;

凌观爽 .

中国专利 :CN120399578A ,2025-08-01

[10]

一种碳化硅晶圆研磨抛光工艺 [P].

陈宇翔 ;

翟会阳 ;

李永波 ;

李纪宏 .

中国专利 :CN117549184A ,2024-02-13

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