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一种碳化硅晶圆衬底的制备方法及碳化硅晶圆衬底
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202410981354.2
申请日：
2024-07-22
公开(公告)号：
CN118969603A
公开(公告)日：
2024-11-15
发明(设计)人：
黄兴
申请人：
派恩杰半导体（浙江）有限公司
申请人地址：
315000 浙江省宁波市前湾新区滨海四路316号1号楼A160
IPC主分类号：
H01L21/04
IPC分类号：
H01L29/16
代理机构：
浙江杭知桥律师事务所 33256
代理人：
施贻华;夏彩云
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-11-15 | 公开 | 公开 |
| 2024-12-03 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/04申请日:20240722 |