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デスモシン、イソデスモシン、およびその誘導体の製造方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20140559652
申请日
:
2014-01-24
公开(公告)号
:
JPWO2014119479A1
公开(公告)日
:
2017-01-26
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
C07D213/55
IPC分类号
:
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[41]
組成物、硬化膜、硬化膜の製造方法、半導体デバイスの製造方法および半導体デバイス[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2017038664A1
,2018-06-14
[42]
ホモシステインの測定方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2004074477A1
,2006-06-22
[43]
イソインドール誘導体の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2006018955A1
,2008-05-08
[44]
3−デスオキシ誘導体およびその医薬組成物[ja]
[P].
日本专利
:JP2019507781A
,2019-03-22
[45]
強誘電体メモリーおよびその製造方法[ja]
[P].
FUKUI HIROSHI
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
MITSUBISHI CHEM CORP
MITSUBISHI CHEM CORP
FUKUI HIROSHI
.
日本专利
:JP2025058722A
,2025-04-09
[46]
ESD保護デバイスおよびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2013038893A1
,2015-03-26
[47]
電気化学デバイスおよびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2019188758A1
,2021-04-15
[48]
スマネンおよびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2004067446A1
,2006-05-18
[49]
電解コンデンサおよびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2019131477A1
,2020-12-17
[50]
電解コンデンサおよびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2017090241A1
,2018-09-13
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