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デスモシン、イソデスモシン、およびその誘導体の製造方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20140559652
申请日
:
2014-01-24
公开(公告)号
:
JPWO2014119479A1
公开(公告)日
:
2017-01-26
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
C07D213/55
IPC分类号
:
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态信息
共 50 条
[21]
グルタチオンおよびシステイン誘導体の調製方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2025535423A
,2025-10-24
[22]
フィン状半導体デバイス、その製造方法および応用[ja]
[P].
日本专利
:JP2023519757A
,2023-05-12
[23]
積層体の製造方法および半導体デバイスの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2017146153A1
,2019-01-17
[24]
ベンゾイルグリシン誘導体およびその作製および使用の方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2019520317A
,2019-07-18
[25]
シクロオクタノン誘導体およびシクロデカノン誘導体、およびその用途[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2002081420A1
,2004-07-29
[26]
3−デセン酸誘導体およびその用途[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2013146437A1
,2015-12-10
[27]
ダイシングシートおよびデバイスチップの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2014020962A1
,2016-07-21
[28]
電子半導体デバイスおよびその電子半導体デバイスの製造方法および化合物[ja]
[P].
日本专利
:JP2020510306A
,2020-04-02
[29]
電子半導体デバイスおよびその電子半導体デバイスの製造方法および化合物[ja]
[P].
日本专利
:JP7082984B2
,2022-06-09
[30]
クレイスタンチンAおよびその誘導体の合成[ja]
[P].
日本专利
:JP2015501283A
,2015-01-15
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