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スパッタリングターゲット、ターゲット製造方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20170516967
申请日
:
2016-09-21
公开(公告)号
:
JPWO2017051820A1
公开(公告)日
:
2017-09-21
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
C23C14/34
IPC分类号
:
C22C1/02
C22C9/01
C22C9/06
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
ニッケル合金スパッタリングターゲット[ja]
[P].
日本专利
:JP6791313B1
,2020-11-25
[2]
ターゲット製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2006095642A1
,2008-08-14
[3]
酸化亜鉛焼結体およびその製造方法、スパッタリングターゲット、このスパッタリングターゲットを用いて形成された電極[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2009078330A1
,2011-04-28
[4]
ニッケル合金スパッタリングターゲット及びニッケル合金薄膜[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2005041290A1
,2008-06-12
[5]
酸化亜鉛焼結体およびその製造方法、スパッタリングターゲット、電極[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2009078329A1
,2011-04-28
[6]
ニッケル合金スパッタリングターゲット、Ni合金薄膜及びニッケルシリサイド膜[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2011115259A1
,2013-07-04
[7]
電子部品用薄膜配線および薄膜配線形成用スパッタリングターゲット材[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2009119804A1
,2011-07-28
[8]
反射層、反射層を備えた光学記録媒体及び反射層形成用スパッタリングターゲット[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2002021524A1
,2004-07-22
[9]
インスタントタピオカパールの構造[ja]
[P].
日本专利
:JP3250150U
,2025-02-10
[10]
ウェザーストリップの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2022108825A
,2022-07-27
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