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ニッケル合金スパッタリングターゲット及びニッケル合金薄膜[ja]
被引:0
申请号
:
JP20050514929
申请日
:
2004-10-14
公开(公告)号
:
JPWO2005041290A1
公开(公告)日
:
2008-06-12
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
C23C14/34
IPC分类号
:
C22C19/03
H01L21/28
H01L21/285
H01L21/60
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 12 条
[1]
ニッケル合金スパッタリングターゲット[ja]
[P].
日本专利
:JP6791313B1
,2020-11-25
[2]
ニッケル合金スパッタリングターゲット、Ni合金薄膜及びニッケルシリサイド膜[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2011115259A1
,2013-07-04
[3]
チタン−ニッケル合金薄膜、及び同時スパッタリング法を用いたチタン−ニッケル合金薄膜の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2015509134A
,2015-03-26
[4]
スパッタリングターゲット、ターゲット製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2017051820A1
,2017-09-21
[5]
ニッケル銅合金薄膜積層フィルム[ja]
[P].
日本专利
:JP5904289B2
,2016-04-13
[6]
ニッケル銅合金薄膜積層フィルム[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2015060119A1
,2017-03-09
[7]
電子部品用薄膜配線および薄膜配線形成用スパッタリングターゲット材[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2009119804A1
,2011-07-28
[8]
反射層、反射層を備えた光学記録媒体及び反射層形成用スパッタリングターゲット[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2002021524A1
,2004-07-22
[9]
高純度Ni−V合金、同Ni−V合金からなるターゲット及び同Ni−V合金薄膜並びに高純度Ni−V合金の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2005035809A1
,2008-06-12
[10]
光電池又は光電池モジュール用のバックコンタクト基材[ja]
[P].
日本专利
:JP2016517183A
,2016-06-09
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