薄膜トランジスタ[ja]

被引:0
申请号
JP20110531781
申请日
2010-09-10
公开(公告)号
JPWO2011033749A1
公开(公告)日
2013-02-07
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
H01L29/786
IPC分类号
C08G64/04 H01L51/05 H01L51/30 H01L51/40
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
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共 50 条
[1]
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法[ja] [P]. 
MASUYAMA TATSURO ;
ICHIKAWA KOJI .
日本专利 :JP2022122988A ,2022-08-23
[2]
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法[ja] [P]. 
MASUYAMA TATSURO ;
ICHIKAWA KOJI .
日本专利 :JP2022048236A ,2022-03-25
[3]
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法[ja] [P]. 
MASUYAMA TATSURO ;
ICHIKAWA KOJI .
日本专利 :JP2022122991A ,2022-08-23
[4]
化学増幅ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法[ja] [P]. 
MASUNAGA KEIICHI ;
WATANABE SATOSHI ;
FUKUSHIMA MASAHIRO ;
KOTAKE MASAAKI ;
MATSUZAWA YUTA .
日本专利 :JP2024162373A ,2024-11-21
[6]
フルベストラント組成物[ja] [P]. 
日本专利 :JP2018530597A ,2018-10-18
[7]
レジスト剥離液[ja] [P]. 
MAKITA SHOHEI ;
ICHIKAWA HIBIKI ;
HIGA HAJIME ;
OZAWA SATSUKI .
日本专利 :JP2024076284A ,2024-06-05
[9]
フォトレジスト剥離液[ja] [P]. 
日本专利 :JP2025164820A ,2025-10-30
[10]
インクジェット用インク[ja] [P]. 
日本专利 :JP2023005676A ,2023-01-18