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多結晶シリコンスパッタリングターゲット[ja]
被引:0
申请号
:
JP20130556483
申请日
:
2013-01-31
公开(公告)号
:
JPWO2013115289A1
公开(公告)日
:
2015-05-11
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
C23C14/34
IPC分类号
:
C01B33/02
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
磁性薄膜形成用スパッタリングターゲット[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2014185266A1
,2017-02-23
[2]
磁性記録媒体用スパッタリングターゲット[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2014196377A1
,2017-02-23
[3]
スパッタリングターゲット及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2010101051A1
,2012-09-06
[4]
パーティクルの発生の少ないスパッタリングターゲット[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2009123055A1
,2011-07-28
[5]
パーティクルの発生の少ないスパッタリングターゲット及び同ターゲットの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2011077933A1
,2013-05-02
[6]
表面欠陥の少ないスパッタリングターゲット及びその表面加工方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2005083148A1
,2008-04-24
[7]
ホットスタンピング用素材[ja]
[P].
日本专利
:JP2024546125A
,2024-12-17
[8]
ホットスタンピング用素材[ja]
[P].
日本专利
:JP2024546126A
,2024-12-17
[9]
反射膜又は半透過反射膜用の薄膜及びスパッタリングターゲット並びに光記録媒体[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2008059582A1
,2010-02-25
[10]
反射膜又は半透過反射膜用の薄膜及びスパッタリングターゲット並びに光記録媒体[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2008059579A1
,2010-02-25
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