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エッチング方法及び装置[ja]
被引:0
申请号
:
JP20130523977
申请日
:
2012-07-12
公开(公告)号
:
JPWO2013008878A1
公开(公告)日
:
2015-02-23
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L21/3065
IPC分类号
:
H05H1/46
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
エッチング方法およびエッチング装置[ja]
[P].
日本专利
:JP2023551348A
,2023-12-08
[2]
エッチング方法およびエッチング装置[ja]
[P].
IGARASHI YOSHIKI
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
TOKYO ELECTRON LTD
TOKYO ELECTRON LTD
IGARASHI YOSHIKI
;
KIKUSHIMA SATORU
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
TOKYO ELECTRON LTD
TOKYO ELECTRON LTD
KIKUSHIMA SATORU
;
SUGA TAKAYUKI
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
TOKYO ELECTRON LTD
TOKYO ELECTRON LTD
SUGA TAKAYUKI
;
HAYASHI GUN
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
TOKYO ELECTRON LTD
TOKYO ELECTRON LTD
HAYASHI GUN
;
CHU CHENGYA
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
TOKYO ELECTRON LTD
TOKYO ELECTRON LTD
CHU CHENGYA
.
日本专利
:JP2024113174A
,2024-08-21
[3]
プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2014046083A1
,2016-08-18
[4]
ラジカルエッチング装置及び方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2012108321A1
,2014-07-03
[5]
シリコンチップのエッチング方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2023549813A
,2023-11-29
[6]
酸化膜のエッチング方法及び基板処理装置[ja]
[P].
日本专利
:JP2025004598A
,2025-01-15
[7]
エッチング方法及びプラズマ処理装置[ja]
[P].
日本专利
:JP2023041914A
,2023-03-24
[8]
ドライエッチング方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2008032627A1
,2010-01-21
[9]
エッチング組成物[ja]
[P].
日本专利
:JP2022530669A
,2022-06-30
[10]
誘電材料の選択的エッチングの方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2025525628A
,2025-08-05
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