エッチング方法およびエッチング装置[ja]

被引：0

申请号：

JP20240094498

申请日：

2024-06-11

公开(公告)号：

JP2024113174A

公开(公告)日：

2024-08-21

发明(设计)人：

IGARASHI YOSHIKI KIKUSHIMA SATORU SUGA TAKAYUKI HAYASHI GUN CHU CHENGYA

申请人：

TOKYO ELECTRON LTD

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L21/302

IPC分类号：

代理机构：

代理人：

法律状态：

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

エッチング方法およびエッチング装置[ja] [P].

日本专利 :JP2023551348A ,2023-12-08

[2]

エッチング方法及び装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2013008878A1 ,2015-02-23

[3]

シリコンチップのエッチング方法[ja] [P].

日本专利 :JP2023549813A ,2023-11-29

[4]

プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2014046083A1 ,2016-08-18

[5]

エッチング組成物[ja] [P].

日本专利 :JP2022530669A ,2022-06-30

[6]

ドライエッチング方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2008032627A1 ,2010-01-21

[7]

ラジカルエッチング装置及び方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2012108321A1 ,2014-07-03

[8]

酸化膜のエッチング方法及び基板処理装置[ja] [P].

日本专利 :JP2025004598A ,2025-01-15

[9]

エッチング方法及びプラズマ処理装置[ja] [P].

日本专利 :JP2023041914A ,2023-03-24

[10]

エッチング副生成物のセルフクリーニング（自己洗浄）を伴うドライエッチング[ja] [P].

日本专利 :JP2025535076A ,2025-10-22

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