垂直方向強誘電性電界効果トランジスタ構造、一対の垂直方向強誘電性電界効果トランジスタを含む構造、強誘電性電界効果トランジスタの垂直方向ストリング、および垂直方向強誘電性電界効果トランジスタの対が横方向に対向する垂直方向ストリング[ja]

被引:0
申请号
JP20160533310
申请日
2014-07-22
公开(公告)号
JP2016529717A
公开(公告)日
2016-09-23
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
H01L21/8246
IPC分类号
H01L27/105
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
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共 50 条
[1]
電界効果トランジスタ[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2007125671A1 ,2009-09-10
[2]
電界効果トランジスタ[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2009038120A1 ,2011-01-06
[3]
電界効果トランジスタ[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2008047896A1 ,2010-02-25
[4]
有機電界効果トランジスタ[ja] [P]. 
日本专利 :JP2014530490A ,2014-11-17
[5]
有機電界効果トランジスタ[ja] [P]. 
日本专利 :JP2015507840A ,2015-03-12
[6]
GaN系電界効果トランジスタ[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2003071607A1 ,2005-06-16
[7]
電界効果トランジスタ型発光素子[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2003071608A1 ,2005-06-16
[8]
ヘテロ接合電界効果トランジスタ[ja] [P]. 
日本专利 :JP2017514316A ,2017-06-01
[10]
電界効果トランジスタ及びその形成方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2015508575A ,2015-03-19