抵抗変化型不揮発性記憶装置及びその製造方法[ja]

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申请号
JP20100541190
申请日
2009-06-30
公开(公告)号
JPWO2010064340A1
公开(公告)日
2012-05-10
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
H01L27/105
IPC分类号
H10N80/00 H10N99/00
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
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共 50 条
[2]
抵抗変化型不揮発性記憶装置及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2013073187A1 ,2015-04-02
[3]
抵抗変化型不揮発性記憶装置とその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2009096363A1 ,2011-05-26
[4]
抵抗変化型不揮発性記憶装置[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2009141857A1 ,2011-09-22
[5]
抵抗変化型不揮発性記憶装置[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2010021134A1 ,2012-01-26
[7]
不揮発性記憶装置及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2012008160A1 ,2013-09-05
[8]
不揮発性記憶装置及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2010146850A1 ,2012-11-29
[9]
不揮発性記憶装置及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2011030559A1 ,2013-02-04