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抵抗変化型不揮発性記憶装置及びその製造方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20100541190
申请日
:
2009-06-30
公开(公告)号
:
JPWO2010064340A1
公开(公告)日
:
2012-05-10
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L27/105
IPC分类号
:
H10N80/00
H10N99/00
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[21]
不揮発性記憶素子の製造方法および不揮発性記憶素子[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2012042897A1
,2014-02-06
[22]
不揮発性記憶素子、不揮発性記憶装置、不揮発性半導体装置、および不揮発性記憶素子の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2008059701A1
,2010-02-25
[23]
不揮発性記憶素子および不揮発性記憶素子の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2012066787A1
,2014-05-12
[24]
不揮発性記憶素子及び不揮発性記憶装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2010064446A1
,2012-05-10
[25]
不揮発性記憶素子及び不揮発性記憶装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2010026664A1
,2012-01-26
[26]
不揮発性記憶装置およびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2013125172A1
,2015-07-30
[27]
不揮発性記憶装置およびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2012023269A1
,2013-10-28
[28]
不揮発性記憶素子、その製造方法、その設計支援方法および不揮発性記憶装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2011114725A1
,2013-06-27
[29]
不揮発性記憶素子の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2013038641A1
,2015-03-23
[30]
不揮発性記憶素子、不揮発性記憶素子アレイおよびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2008062734A1
,2010-03-04
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