抵抗変化型不揮発性記憶装置及びその製造方法[ja]

被引:0
申请号
JP20100541190
申请日
2009-06-30
公开(公告)号
JPWO2010064340A1
公开(公告)日
2012-05-10
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
H01L27/105
IPC分类号
H10N80/00 H10N99/00
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
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共 50 条
[21]
[23]
[24]
不揮発性記憶素子及び不揮発性記憶装置[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2010064446A1 ,2012-05-10
[25]
不揮発性記憶素子及び不揮発性記憶装置[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2010026664A1 ,2012-01-26
[26]
不揮発性記憶装置およびその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2013125172A1 ,2015-07-30
[27]
不揮発性記憶装置およびその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2012023269A1 ,2013-10-28
[29]
不揮発性記憶素子の製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2013038641A1 ,2015-03-23