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抵抗変化型不揮発性記憶装置及びその製造方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20100541190
申请日
:
2009-06-30
公开(公告)号
:
JPWO2010064340A1
公开(公告)日
:
2012-05-10
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L27/105
IPC分类号
:
H10N80/00
H10N99/00
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
抵抗変化型不揮発性記憶素子、抵抗変化型不揮発性記憶装置及び抵抗変化型不揮発性記憶素子の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2012001993A1
,2013-08-22
[2]
抵抗変化型不揮発性記憶装置及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2013073187A1
,2015-04-02
[3]
抵抗変化型不揮発性記憶装置とその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2009096363A1
,2011-05-26
[4]
抵抗変化型不揮発性記憶装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2009141857A1
,2011-09-22
[5]
抵抗変化型不揮発性記憶装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2010021134A1
,2012-01-26
[6]
不揮発性記憶素子、不揮発性記憶装置、不揮発性記憶素子の製造方法、及び不揮発性記憶装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2013038647A1
,2015-03-23
[7]
不揮発性記憶装置及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2012008160A1
,2013-09-05
[8]
不揮発性記憶装置及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2010146850A1
,2012-11-29
[9]
不揮発性記憶装置及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2011030559A1
,2013-02-04
[10]
不揮発性記憶素子、不揮発性記憶装置及びそれらの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2013046603A1
,2015-03-26
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