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抵抗変化型不揮発性記憶装置及びその製造方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20100541190
申请日
:
2009-06-30
公开(公告)号
:
JPWO2010064340A1
公开(公告)日
:
2012-05-10
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L27/105
IPC分类号
:
H10N80/00
H10N99/00
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[41]
不揮発性記憶装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2012081248A1
,2014-05-22
[42]
不揮発性記憶装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2015141625A1
,2017-04-06
[43]
不揮発性記憶素子、不揮発性記憶装置、および不揮発性半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2009147790A1
,2011-10-20
[44]
不揮発性記憶素子、不揮発性記憶装置、および不揮発性記憶素子へのデータ書込方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2009136467A1
,2011-09-01
[45]
抵抗変化型不揮発性メモリ素子とその作製方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2009104229A1
,2011-06-16
[46]
不揮発性記憶素子[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2010064410A1
,2012-05-10
[47]
不揮発性記憶素子[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2010090002A1
,2012-08-09
[48]
不揮発性記憶素子およびそれを備えた不揮発性記憶装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2011155210A1
,2013-08-01
[49]
不揮発性記憶素子並びにそれを用いた不揮発性記憶装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2010038423A1
,2012-03-01
[50]
抵抗変化型メモリ装置、不揮発性メモリ装置、およびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2009072213A1
,2011-04-21
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