抵抗変化型不揮発性記憶装置及びその製造方法[ja]

被引:0
申请号
JP20100541190
申请日
2009-06-30
公开(公告)号
JPWO2010064340A1
公开(公告)日
2012-05-10
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
H01L27/105
IPC分类号
H10N80/00 H10N99/00
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[41]
不揮発性記憶装置[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2012081248A1 ,2014-05-22
[42]
不揮発性記憶装置[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2015141625A1 ,2017-04-06
[45]
抵抗変化型不揮発性メモリ素子とその作製方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2009104229A1 ,2011-06-16
[46]
不揮発性記憶素子[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2010064410A1 ,2012-05-10
[47]
不揮発性記憶素子[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2010090002A1 ,2012-08-09
[48]
[49]