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Cu−Ga合金焼結体スパッタリングターゲット、同ターゲットの製造方法、Cu−Ga合金焼結体ターゲットから作製された光吸収層及び同光吸収層を用いたCIGS系太陽電池[ja]
被引:0
申请号
:
JP20100535149
申请日
:
2010-06-29
公开(公告)号
:
JPWO2011010529A1
公开(公告)日
:
2012-12-27
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
C23C14/34
IPC分类号
:
B22F1/00
B22F3/14
B22F9/08
C22C9/00
C22C28/00
H01L31/04
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[21]
スパッタリングターゲット、スパッタリングターゲットの製造方法、および、光学機能膜[ja]
[P].
日本专利
:JP2022143917A
,2022-10-03
[22]
酸化物スパッタリングターゲット、および、酸化物スパッタリングターゲットの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2022105853A
,2022-07-15
[23]
酸化物焼結体、スパッタリングターゲット及び薄膜並びに酸化物焼結体の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5688179B1
,2015-03-25
[24]
焼結用Sb−Te系合金粉末及び同粉末の製造方法並びに焼結体ターゲット[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2009107498A1
,2011-06-30
[25]
銅合金スパッタリングターゲット及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2016186070A1
,2018-03-08
[26]
スパッタリングターゲット及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2018173517A1
,2020-01-23
[27]
スパッタリングターゲット及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2017502166A
,2017-01-19
[28]
スパッタリングターゲット及び、その製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2017213185A1
,2019-04-04
[29]
スパッタリングターゲット及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2013145818A1
,2015-12-10
[30]
酸素含有量が低いCu−Ga系合金粉末およびスパッタリングターゲット材の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5840748B2
,2016-01-06
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