保護バリア層を使用して半導体構造を製造する装置および方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20200514961

申请日：

2018-09-11

公开(公告)号：

JP2020533803A

公开(公告)日：

2020-11-19

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L21/316

IPC分类号：

H01L21/31

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共 50 条

[1]

半導体構造体および半導体構造体を製造する方法[ja] [P].

日本专利 :JP2020532124A ,2020-11-05

[2]

半導体構造および半導体構造を形成する方法[ja] [P].

日本专利 :JP2016502756A ,2016-01-28

[3]

半導体構造を製作する方法[ja] [P].

日本专利 :JP2019528566A ,2019-10-10

[4]

抵抗合金を基材とするペーストを使用して層構造体を製造する方法[ja] [P].

日本专利 :JP2019537838A ,2019-12-26

[5]

金属酸化物半導体装置および半導体装置を製造する方法[ja] [P].

日本专利 :JP6306069B2 ,2018-04-04

[6]

積層構造体、積層構造体を含む半導体装置および半導体システム[ja] [P].

日本专利 :JPWO2020013261A1 ,2021-08-02

[7]

半導体構造および方法[ja] [P].

日本专利 :JP2022529804A ,2022-06-24

[8]

積層構造体および半導体素子[ja] [P].

ANDO HIROYUKI ;

TSUKAMOTO NAOYUKI ;

KATO YUJI .

日本专利 :JP2024129608A ,2024-09-27

[9]

多層構造体、多層構造体を製造するためのプロセス、および関連する物品[ja] [P].

日本专利 :JP2020517502A ,2020-06-18

[10]

半導体装置および半導体装置の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2015098225A1 ,2017-03-23

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