金属酸化物半導体装置および半導体装置を製造する方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20160019636

申请日：

2016-02-04

公开(公告)号：

JP6306069B2

公开(公告)日：

2018-04-04

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L29/786

IPC分类号：

H01L21/28 H10N10/856 H01L21/336 H01L29/417

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共 50 条

[1]

酸化物半導体装置、および、酸化物半導体装置の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP6685476B2 ,2020-04-22

[2]

酸化物半導体装置、および、酸化物半導体装置の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2019003861A1 ,2019-11-07

[3]

酸化物半導体膜および半導体装置[ja] [P].

日本专利 :JP6460591B2 ,2019-01-30

[4]

酸化物半導体膜および、半導体装置[ja] [P].

SAKAZUME TAKAHIRO .

日本专利 :JP2025116201A ,2025-08-07

[5]

半導体構造体および半導体構造体を製造する方法[ja] [P].

日本专利 :JP2020532124A ,2020-11-05

[6]

酸化物半導体膜、該酸化物半導体膜を有する半導体装置、及び該半導体装置を有する表示装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2016139556A1 ,2018-01-11

[7]

金属酸化物および半導体装置[ja] [P].

日本专利 :JP7637110B2 ,2025-02-27

[8]

金属酸化物および半導体装置[ja] [P].

日本专利 :JP7637619B2 ,2025-02-28

[9]

半導体装置および半導体装置の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2015098225A1 ,2017-03-23

[10]

半導体装置の製造方法および半導体装置[ja] [P].

IKEJIRI MASAHIRO ;

TERABAYASHI MASAKI ;

MAEKAWA KOJI ;

AKIYAMA KOJI .

日本专利 :JP2024067682A ,2024-05-17

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