下地基板及びその製造方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20210508697

申请日：

2019-09-30

公开(公告)号：

JP7159450B2

公开(公告)日：

2022-10-24

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

C30B29/16

IPC分类号：

C30B25/18 H01L21/20 H01L21/205 H01L21/368

代理机构：

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法律状态信息

共 50 条

[21]

基板製造方法及び基板製造装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2013008590A1 ,2015-02-23

[22]

下地基板及び単結晶ダイヤモンド積層基板並びにそれらの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2025175289A ,2025-12-01

[23]

積層基板、積層基板の製造方法及び自立基板の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2022093409A ,2022-06-23

[24]

積層構造体、半導体装置及び下地基板[ja] [P].

WATABE TAKENORI ;

HASHIGAMI HIROSHI ;

SAKAZUME TAKAHIRO .

日本专利 :JP2025102965A ,2025-07-08

[25]

半導体基板の製造方法及び素子構造の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2007072984A1 ,2009-06-04

[26]

ダイヤモンド製膜用下地基板及びそれを用いたダイヤモンド基板の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP7078947B2 ,2022-06-01

[27]

ダイヤモンド製膜用下地基板及びそれを用いたダイヤモンド基板の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP7298832B2 ,2023-06-27

[28]

ダイヤモンド製膜用下地基板及びそれを用いたダイヤモンド基板の製造方法[ja] [P].

NOGUCHI HITOSHI ;

MAKINO TOSHIHARU ;

OGURA MASAHIKO ;

KATO HIROMITSU ;

KAWASHIMA HIROYUKI ;

YAMAZAKI SATOSHI ;

TOKUDA NORIO .

日本专利 :JP2022109306A ,2022-07-27

[29]

ＴＦＴアレイ基板及びその製造方法、表示装置[ja] [P].

日本专利 :JP2019511831A ,2019-04-25

[30]

表示基板及びその製造方法、並びに表示パネル[ja] [P].

日本专利 :JP2021531610A ,2021-11-18

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