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下地基板及びその製造方法[ja]

被引：0
申请号：
JP20210508697
申请日：
2019-09-30
公开(公告)号：
JP7159450B2
公开(公告)日：
2022-10-24
发明(设计)人：
申请人：
申请人地址：
IPC主分类号：
C30B29/16
IPC分类号：
C30B25/18 H01L21/20 H01L21/205 H01L21/368
代理机构：
代理人：
法律状态：
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
共 50 条
[41]
アルミナ焼結体及び光学素子用下地基板[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2017057550A1 ,2018-07-19
[42]
アルミナ焼結体及び光学素子用下地基板[ja] [P]. 
日本专利 :JP6691133B2 ,2020-04-28
[43]
アルミナ焼結体及び光学素子用下地基板[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2016084722A1 ,2017-09-07
[44]
アルミナ焼結体及び光学素子用下地基板[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2016182012A1 ,2018-04-26
[45]
アルミナ焼結体及び光学素子用下地基板[ja] [P]. 
日本专利 :JP6585620B2 ,2019-10-02
[46]
アルミナ焼結体及び光学素子用下地基板[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2016182011A1 ,2018-03-01
[47]
アルミナ焼結体及び光学素子用下地基板[ja] [P]. 
日本专利 :JP6646658B2 ,2020-02-14
[48]
ダイヤモンド基板及びその製造方法並びにセンサー[ja] [P]. 
NOGUCHI HITOSHI ;
MAKINO TOSHIHARU ;
OGURA MASAHIKO ;
KATO HIROMITSU ;
HARUYAMA MORIYOSHI ;
KAJIYAMA KENICHI ;
KAINUMA YUTA ;
HATANO YUJI ;
IWASAKI TAKAYUKI ;
HATANO MUTSUKO .
日本专利 :JP2025076971A ,2025-05-16
[49]
下地基板及びＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体貼り合せ基板[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2017082197A1 ,2018-08-30
[50]
基板製造装置[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2013015093A1 ,2015-02-23
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